[发明专利]ITO颗粒、分散液和ITO膜的制造方法

说明书

本发明提供一种ITO颗粒，其满足下述式(1)所示的关系。16×S/P²≤0.330···(1)(式中，S表示TEM拍摄照片中的颗粒面积，P表示该颗粒的外周长度)。

技术领域

本发明涉及ITO颗粒、将该ITO颗粒分散而成的分散液和ITO膜的制造方法。本发明要求2018年1月15日提交的日本专利申请号2018-004226的优先权，对于认可通过参考文献引入的指定国家，该申请中记载的内容通过参考的形式引入本申请中。

背景技术

关于ITO(氧化铟锡)颗粒，专利文献1中记载了一种ITO颗粒，其是通过在季铵离子的氢氧化物溶解于还原性有机溶剂中而成的溶液中添加铟源和锡源来进行反应，接着在高压釜内加热，在自生压力下进行熟化而得到的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5706797号公报

发明内容

本发明的第一方式为一种ITO颗粒，其满足下述式(1)所示的关系。

16×S/P²≤0.330···(1)

(式中，S表示TEM拍摄照片中的颗粒面积，P表示该颗粒的外周长度)

本发明的第二方式为一种分散液，其是上述ITO颗粒分散于溶剂中而成的。

本发明的第三方式为一种ITO膜的制造方法，其包括下述工序：将上述分散液雾化的雾化工序；使雾化后的分散液与基板接触的接触工序；和在接触工序后使存在于基板上的分散液干燥的干燥工序。

附图说明

图1是示出使用了本实施方式中的雾化法的成膜装置的一例的示意图。

图2是实施例1的透射型电子显微镜(TEM)照片。

图3是对实施例1和参考例1的ζ电位的测定结果作图而成的图。

具体实施方式

以下，对本发明的具体实施方式(以下简称为“本实施方式”)进行详细说明。下述本实施方式是用于说明本发明的例示，并非旨在将本发明限定于以下的内容。需要说明的是，在附图中，只要不特别声明，则上下左右等位置关系基于附图所示的位置关系。此外，附图的尺寸比例不限于图示的比例。

ITO颗粒

本实施方式的ITO颗粒满足下述式(1)所示的关系。

16×S/P²≤0.330···(1)

(式中，S表示TEM拍摄照片中的颗粒面积，P表示该颗粒的外周长度)

式(1)的颗粒面积S和外周长度P是TEM拍摄照片中的颗粒的面积和外周长度，可以依照后述实施例中记载的方法求出。颗粒面积S的值没有特别限定，例如可以为100～4500nm²、也可以为200～4300nm²。另外，P的值没有特别限定，例如可以为100～1200nm、也可以为120～1000nm。

式(1)的左边的值的上限为0.330以下即可，优选为0.300以下、更优选为0.280以下、进一步优选为0.260以下、更进一步优选为0.250以下。通过为该范围，能够使其颗粒形状为与近似长方体形状相比大幅变形的颗粒形状。另外，式(1)的左边的值的下限没有特别限定，大于0即可，例如可以为0.040以上、可以为0.060以上、可以为0.070以上、也可以为0.100以上。

本实施方式的ITO颗粒能够实现均匀的微粒化、高分散性，还能够应对低电阻化、高透射率、低浊度(雾度)等作为各种透明电极等的材料的要求。