[发明专利]利用电网/接地网结构上的管芯上槽线的隔离增强在审
申请号: | 201880086703.7 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN111630662A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | Z·D·吴;P·厄帕德亚亚;K-Y·常 | 申请(专利权)人: | 赛灵思公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 傅远 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 电网 接地 结构 管芯 上槽线 隔离 增强 | ||
1.一种集成电路,包括:
接地结构;
源;
发射器,其中当所述发射器是活动的时,返回电流从所述源流过所述接地结构到所述发射器;
无源部件,被布置在所述源与所述发射器之间;
第一槽,延伸穿过所述接地结构,其中所述第一槽在所述无源部件与所述源之间;以及
第二槽,延伸穿过所述接地结构,其中所述第二槽在所述无源部件与所述发射器之间,其中所述第一槽和所述第二槽的各自的第一端在所述接地结构的边缘处终止。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第一槽和所述第二槽的各自的第二端在所述接地结构内终止,使得所述返回电流能够围绕所述各自的第二端流动,但是被阻止围绕所述各自的第一端流动。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的集成电路,进一步包括:
半导体衬底,其中所述接地结构包括被布置在所述半导体衬底上的多个金属布线层,其中所述第一槽和所述第二槽延伸穿过所述多个金属布线层。
4.根据权利要求3所述的集成电路,其中所述无源部件被布置在所述多个金属布线层之上。
5.根据权利要求4所述的集成电路,其中所述无源部件包括电感器和电容器中的至少一个器件。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的集成电路,其中所述返回电流是通过使用所述发射器驱动信号而感应出的磁场在所述源处生成的。
7.根据权利要求1-6中的任一项所述的集成电路,进一步包括:
锁相环,包括所述无源部件;以及
第二发射器,被配置为当驱动信号时从所述锁相环接收控制信号。
8.一种集成电路,包括:
接地结构;
源;
汇点,其中返回电流从所述源流过所述接地结构到所述汇点;
电感器,被布置在所述源与所述汇点之间;以及
第一槽,延伸穿过所述接地结构,其中所述第一槽在所述电感器与所述源之间,其中所述第一槽的第一端在所述接地结构的边缘处终止。
9.根据权利要求8所述的集成电路,进一步包括:
第二槽,延伸穿过所述接地结构,其中所述第二槽在所述电感器与所述汇点之间,其中所述第二槽的第一端在所述接地结构的所述边缘处终止。
10.根据权利要求9所述的集成电路,其中所述第一槽和所述第二槽的各自的第二端在所述接地结构内终止,使得所述返回电流能够围绕所述各自的第二端流动,其中所述返回电流被阻止围绕所述第一槽和所述第二槽的所述第一端流动。
11.根据权利要求8-10中的任一项所述的集成电路,进一步包括:
发射器,包括所述汇点,其中通过使用所述发射器驱动信号而感应出的磁场在所述源处生成所述返回电流。
12.根据权利要求8-11中的任一项所述的集成电路,进一步包括:
半导体衬底,其中所述接地结构包括被布置在所述半导体衬底上的多个金属布线层,其中所述第一槽延伸穿过所述多个金属布线层。
13.根据权利要求12所述的集成电路,其中所述电感器被布置在所述多个金属布线层之上。
14.一种制造集成电路的方法,所述方法包括:
在半导体衬底的有源区域中形成有源器件;
在所述半导体衬底的所述有源区域之上形成接地结构;
形成穿过所述接地结构的第一槽和第二槽;以及
在所述接地结构上方并且在所述第一槽与所述第二槽之间形成无源部件,其中所述第一槽和所述第二槽的各自的第一端在所述接地结构的边缘处终止。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述第一槽和所述第二槽的各自的第二端在所述接地结构内终止,使得所述返回电流能够围绕所述各自的第二端流动,但是被阻止围绕所述各自的第一端流动。
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