[发明专利]处理液吐出配管以及基板处理装置在审
申请号: | 201880086735.7 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN111630634A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 竹松佑介;温井宏树;岩川裕;东克荣;菅原雄二 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C08L83/04;C08L83/10;C08L101/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 吐出 以及 装置 | ||
【问题】本发明提供一种防止吐出口中的液滴下落的处理液吐出配管、及包括所述处理液吐出配管的基板处理装置。【解决手段】处理液吐出配管41在内部具有供处理液流通的流路44,且将在流路44中流通的处理液自吐出口41A朝基板表面吐出。流路44包括:壁面的至少一部分为亲水性的亲水性流路、及第二配管流路442。在将处理液吐出配管41安装于基板处理装置的状态下,第二配管流路442相对于铅垂方向而倾斜,且使上游侧的端部高于下游侧的端部。
技术领域
本发明涉及一种在对基板表面吐出处理液的装置中供处理液流通的处理液吐出配管、及包括所述处理液吐出配管的基板处理装置。
背景技术
以往,在半导体晶片的制造步骤中,将光致抗蚀剂液、蚀刻液、清洗液、纯水等各种处理液供给至基板表面。在所述处理液的供给处理中,存在当停止处理液的供给时,自处理液的吐出口产生非预想的液滴的下落,即所谓“滴液现象(dripping)”的情况。此种液滴的滴液现象成为基板表面产生不均(nonuniformity)的原因,因此需要避免。
在专利文献1中,公开了一种为了防止滴液现象,而使处理液的吐出孔成为超亲水性的供给喷嘴。在专利文献1中,通过将吐出孔设为超亲水性,附着于前端部的表面的处理液的液滴不会成为球状,而扩展为薄膜状。由此,防止球状的液滴因振动而在前端部的表面流下来。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开平10-256116号公报
发明内容
发明所要解决的问题
根据专利文献1的构成,能够抑制附着于喷嘴前端部的处理液的滴液现象。但是,在比前端部更靠内侧(上游侧)处残留有处理液的情况下,有可能因处理液的自重而产生滴液现象。
本发明是鉴于所述状况而成,其目的在于提供一种防止吐出口中的液滴下落的处理液吐出配管、及包括所述处理液吐出配管的基板处理装置。
解决问题的技术手段
为了解决所述问题,本申请的第一实施例是一种处理液吐出配管,其安装于对基板表面吐出处理液的处理装置,且包括:流路,供所述处理液流通;以及吐出口,对所述基板表面吐出在所述流路内流通的处理液,且所述流路包括壁面的至少一部分为亲水性的亲水性流路,在安装于所述处理装置的状态下,所述亲水性流路相对于铅垂方向而倾斜,且使上游侧的端部高于下游侧的端部。
本申请的第二实施例是根据第一实施例的处理液吐出配管,其中所述流路具有壁面为疏水性的流路。
本申请的第三实施例是根据第一实施例或第二实施例的处理液吐出配管,其中所述流路具有位于所述亲水性流路的下游侧,且壁面为疏水性的第一流路,在安装于所述处理装置的状态下,所述第一流路沿铅垂方向延伸。
本申请的第四实施例是根据第三实施例的处理液吐出配管,其中所述吐出口位于所述第一流路的下游侧端部。
本申请的第五实施例是根据第三实施例或第四实施例的处理液吐出配管,其中所述亲水性流路与所述第一流路邻接。
本申请的第六实施例是根据第一实施例至第五实施例中的任一处理液吐出配管,其中所述流路具有位于所述亲水性流路的上游的第二流路,且在安装于所述处理装置的状态下,所述第二流路沿水平方向延伸。
本申请的第七实施例是根据第一实施例至第六实施例中的任一处理液吐出配管,其中所述亲水性流路包含树脂,且通过浸渍于药液中,壁面的至少一部分变成亲水性。
本申请的第八实施例是根据第一实施例至第七实施例中的任一处理液吐出配管,其中亲水性的所述亲水性流路的壁面比其他流路的壁面粗糙。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造