[发明专利]用于测试ASIC的主要内部信号的电路在审
申请号: | 201880087005.9 | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN111615635A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | C·赫尔曼 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | G01R31/3167 | 分类号: | G01R31/3167;G01R31/317 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 侯鸣慧 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测试 asic 主要 内部 信号 电路 | ||
1.一种用于测试ASIC的主要内部信号的电路,其中,设置仅一个测试引脚(TEST),通过所述测试引脚能够执行选择待考察的数字信号(D1,D2,...,Dn)或选择一个模拟信号(A1,A2,...,Am),所述电路包括:
布置在所述测试引脚(TSET)和所述电路的输出接头(TM)之间的施密特触发器(SMT1),其中,在超过所述施密特触发器(SMT1)的切换阈值时,设置激活测试模式,
至少一个子电路,设置为用于考察数字信号(D1,D2,...,Dn),所述至少一个子电路具有电阻(R1,R2,...,Rn)、NMOS晶体管(M1,M2,...,Mn)和与门(X1,X2,...,Xn),在所述与门的第一输入端上存在所述数字信号(D1,D2,...,Dn),
其中,所述电阻(R1,R2,...,Rn)布置在所述测试引脚(TEST)和所述NMOS晶体管(M1,M2,...,Mn)的漏极接头之间,所述NMOS晶体管(M1,M2,...,Mn)的源极接头与地电位(GND)连接,所述NMOS晶体管(M1,M2,...,Mn)的栅极接头与所述与门(X1,X2,...,Xn)的输出端连接,所述与门(X1,X2,...,Xn)的第二输入端与所述电路的所述输出端接头(TM)连接。
2.根据权利要求1所述的电路,其中,在所述测试引脚(TSET)上能测量的电流能够根据所有数字信号(D1,D2,...,Dn)的或所选择的模拟信号(A1,A2,...,Am)的状态来确定,借助所述能测量的电流能够推断出所有数字信号(D1,D2,...,Dn)的状态或推断出所选择的模拟信号(A1,A2,...,Am)的状态。
3.根据权利要求1或2所述的电路,所述电路还包括布置在所述测试引脚(TEST)和所述地电位(GND)之间的电阻(R0)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电路,其中,设置有按照计算式R0=20×R,R1=21×R,R2=22×R,…Rn=2n×R确定大小的电阻(R1,R2,...,Rn)。
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