[发明专利]基板的清洗方法及装置在审
申请号: | 201880087245.9 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN111656484A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 王晖;王希;张晓燕;陈福发 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 方法 装置 | ||
1.一种基板清洗方法,其特征在于,包括:
将基板放置在基板保持装置上;
将清洗液输送到基板表面;
实施预处理工艺以从基板表面分离气泡;以及
实施超声波或兆声波清洗工艺以清洗基板。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,实施预处理工艺的持续时间为5秒或多于5秒。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,实施预处理工艺以从基板表面分离气泡的步骤包括将基板表面从疏水性变为亲水性。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,通过提供化学溶液在基板表面形成亲水涂层来将基板表面从疏水性变为亲水性。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,通过提供化学溶液将疏水性基板表面氧化成亲水性氧化层来将基板表面从疏水性变为亲水性。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,实施预处理工艺以从基板表面分离气泡的步骤包括在基板表面提供化学溶液以增加化学溶液在基板表面的润湿性。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,实施预处理工艺以从基板表面分离气泡的步骤包括对清洗液施加具有第一功率的超声波或兆声波以产生稳定的气泡气穴振荡。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述超声波或兆声波在连续模式或脉冲模式下运行。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,实施预处理工艺以从基板表面分离气泡的步骤包括去除附着在基板表面的杂质。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,使用化学溶液去除基板表面的杂质。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,进一步包括对化学溶液施加具有第一功率的超声波或兆声波以产生稳定的气泡气穴振荡。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述超声波或兆声波在连续模式或脉冲模式下运行。
13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,实施预处理工艺以从基板表面分离气泡的步骤包括去除颗粒,然后从基板表面分离气泡。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,对清洗液施加具有第一功率的超声波或兆声波以去除颗粒和从基板表面分离气泡。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述超声波或兆声波在连续模式或脉冲模式下运行。
16.如权利要求13所述的方法,其特征在于,向基板表面提供化学溶液以反应或溶解颗粒。
17.如权利要求1所述的方法,其特征在于,实施超声波或兆声波清洗工艺以清洗基板的步骤包括将具有第二功率的超声波或兆声波应用于实施超声波或兆声波清洗工艺以清洗基板,所述超声波或兆声波在连续模式或脉冲模式下运行。
18.一种基板清洗装置,其特征在于,包括:
基板保持装置,被配置为保持基板;
至少一个进液口,被配置为输送清洗液到基板表面;
超声波或兆声波装置,被配置为向清洗液传递声能;
一个或多个控制器,被配置为:
控制超声波或兆声波装置具有第一功率以实施预处理工艺以从基板表面分离气泡,以及
控制超声波或兆声波装置具有第二功率以实施超声波或兆声波清洗工艺以清洗基板,第二功率高于第一功率。
19.如权利要求18所述的装置,其特征在于,所述超声波或兆声波装置在连续模式或脉冲模式下运行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造