[发明专利]清洗基板的方法和装置在审
| 申请号： | 201880087254.8 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111630649A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王晖;王希;张晓燕;陈福发;陈福平 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/76;H01L21/02;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 装置 | ||
1.一种清洗基板的方法，所述基板包括图案结构特征，该方法包括以下步骤：
将基板放置在可以使基板旋转的基板保持装置上；
输送清洗液到基板上；
当通过换能器向清洗液施加声能时，通过基板保持装置以第一速率旋转基板；
当换能器没有向清洗液施加声能时，通过基板保持装置以高于第一速率的第二速率旋转基板。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当施加声能时以第一速率旋转基板和当未施加声能时以第二速率旋转基板的步骤先后交替施加多个循环。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一速率在10RPM至200RPM。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二速率在100RPM至1500RPM。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当施加声能时，以第一速率旋转基板包括：
基于定时器控制换能器的电源，从而在预定的第一时段以第一频率和第一功率水平向清洗液传递声能；
基于定时器控制换能器的电源，从而在预定的第二时段以第二频率和第二功率水平向清洗液传递声能。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，第一和第二时段、第一和第二功率水平以及第一和第二频率被确定使得由于传递声能而导致特征损坏的百分比低于设定阈值。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，基板上的器件的制造节点为45纳米或小于45纳米。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，图案结构特征的线宽为60纳米或小于60纳米。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，图案结构特征的深宽比为3或大于3。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在施加声能以第一速率旋转基板之后，以及在未施加声能以第二速率旋转基板之前，将换能器从清洗液中移开。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在基板上施加清洗液之前，对基板进行预处理以去除吸引气泡的缺陷。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在基板上施加清洗液之前，对清洗液进行预处理以去除清洗液中的至少一部分气泡。
13.一种清洗基板的方法，所述基板包括图案结构特征，该方法包括以下步骤：
对基板进行预处理以去除吸引气泡的缺陷；
输送清洗液到基板上；
基于定时器控制换能器的电源，从而在预定的第一时段以第一频率和第一功率水平向清洗液传递声能；以及
基于定时器控制换能器的电源，从而在预定的第二时段以第二频率和第二功率水平向清洗液传递声能；
其中以预定数目的循环将该第一和第二时段先后交替施加。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，第一和第二时段、第一和第二功率水平以及第一和第二频率被确定使得由于传递声能而导致特征损坏的百分比低于设定阈值
15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，预处理包括在基板上施加等离子体。
16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，预处理包括将一种或多种预处理液体应用在基板上。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，将一种或多种预处理液体应用在基板上包括应用SC1溶液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
