[发明专利]磁场传感器

权利要求书

1.一种用于测量可变磁场的磁场传感器(10、30、40、50)，特别是用于运动传感器或位置传感器的磁场传感器，所述磁场传感器(10、30、40、50)包括磁阻传感器芯片(12)和承载所述传感器芯片(12)并且具有上侧面(44)和下侧面(46)的平坦传感器载体(14)，所述传感器载体(14)的所述上侧面(44)具有穿透所述传感器载体(14)形式的凹部(16)，所述传感器芯片(12)布置在所述凹部(16)中，所述传感器芯片(12)经由设置在所述传感器芯片(12)上的连接点而能够从所述上侧面(44)电接触，并且所述传感器芯片(12)经由所述下侧面(46)接收由能够沿着所述传感器载体(14)的所述下侧面(46)移动的产生传感器磁体(38)产生的待测量的磁场，其特征在于，所述凹部(16)填充有保护套(26)和/或覆盖有保护套(26)，所述保护套(26)的平面终止于所述上侧面(44)或所述保护套(26)突出到所述上侧面(44)之上以对所述传感器芯片(12)进行机械稳定和钝化，其中，所述传感器芯片(12)包括载体衬底，所述载体衬底在所述凹部(16)中与所述传感器载体(14)的所述下侧面(46)齐平地终止，并且所述载体衬底的厚度小于100μm，使得能够实现所述传感器芯片(12)到所述传感器磁体(38)之间的100μm或更小的最小距离。

2.根据权利要求1所述的磁场传感器(10、30、40、50)，其特征在于，所述保护套(26)是Glob Top保护套。

3.根据权利要求1所述的磁场传感器(10、30、40、50)，其特征在于，所述传感器芯片(12)从所述上侧面被定位在所述传感器载体(14)上并被紧固到所述传感器载体(14)。

4.根据权利要求1所述的磁场传感器(10、30、40、50)，其特征在于，所述传感器载体(14)的所述下侧面(46)涂覆有载体膜(24)和/或摩擦学保护层(42)。

5.根据权利要求4所述的磁场传感器(10、30、40、50)，其特征在于，所述载体膜(24)是Kapton膜。

6.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器(10、30、40、50)，其特征在于，所述凹部(16)被设计成阶梯状并且具有加深的连接区域(36)，所述加深的连接区域(36)具有焊盘(20)。

7.根据权利要求6所述的磁场传感器(10、30、40、50)，其特征在于，焊线(22)放置在所述凹部(16)的内部，使得其不突出到所述传感器载体(14)的所述上侧面(44)之上。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的磁场传感器(10、30、40、50)，其特征在于，所述传感器芯片(12)包括载体衬底，所述载体衬底在所述凹部(16)中与所述传感器载体(14)的所述下侧面(46)齐平地终止，并且所述载体衬底的厚度小于50μm。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的磁场传感器(10、30、40、50)，其特征在于，所述载体衬底的厚度小于30μm。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的磁场传感器(10、30、40、50)，其特征在于，摩擦学保护层(42)作为机械保护被施加到所述传感器载体(14)的所述下侧面(46)。