[发明专利]无电镀镀金浴

权利要求书

1.一种无电镀镀金浴，其包含

a)金离子；

b)亚硫酸根离子；

c)碘离子；和

d)至少一种根据式(1)的膦酸盐化合物

其中

各X为烷二基；

R¹、R²、R³和各R⁴独立地为烷二基；

M独立地为氢、金属原子或形成阳离子的自由基；

各n为有理数目且根据各别M的价数选择；且

b为1到10范围内的整数。

2.根据权利要求1所述的无电镀镀金浴，其中所述无电镀镀金浴的pH值在5.5到8.5。

3.根据权利要求1或2所述的无电镀镀金浴，其中所述亚硫酸根离子的浓度在10mmol/L到150mmol/L。

4.根据前述权利要求1或2所述的无电镀镀金浴，其中所述亚硫酸根离子的物质量至少与所述金离子的物质量一样高。

5.根据前述权利要求1或2所述的无电镀镀金浴，其中所述碘离子的浓度在4mmol/L到100mmol/L。

6.根据前述权利要求1或2所述的无电镀镀金浴，其中R¹、R²、R³和各R⁴独立地为C1-C6烷二基。

7.根据前述权利要求1或2所述的无电镀镀金浴，其中b在1到6。

8.根据前述权利要求1或2所述的无电镀镀金浴，其中所述无电镀镀金浴包含至少一种羟基羧酸。

9.根据权利要求8所述的无电镀镀金浴，其中所述至少一种羟基羧酸是脂肪族的。

10.根据权利要求8所述的无电镀镀金浴，其中所述至少一种羟基羧酸为C1-C12羟基羧酸。

11.根据前述权利要求1或2所述的无电镀镀金浴，其中所述无电镀镀金浴不含硫代硫酸根离子。

12.根据前述权利要求1或2所述的无电镀镀金浴，其中所述无电镀镀金浴不含氰离子。

13.一种根据权利要求1至12中任一权利要求所述的无电镀镀金浴的用途，其用于将金层沉积于衬底的表面上。

14.一种用于将金层沉积于衬底的表面上的方法，其以此次序包含以下方法步骤

(i)提供具有所述表面的所述衬底；

(ii)使所述衬底的所述表面的至少一部分与根据权利要求1至12中任一权利要求所述的无电镀镀金浴接触；

和由此将金层沉积到所述衬底的所述表面的至少一部分上。

15.一种适用于提供根据权利要求1至12中任一权利要求所述的无电镀镀金浴的分装部分的试剂盒，其包含

I)包含以下的水溶液

-亚硫酸根离子；

-碘离子；

-至少一种根据式(1)的膦酸盐化合物

其中

各X独立地为烷二基；

R¹、R²、R³和各R⁴独立地为烷二基；

M独立地为氢、金属原子或形成阳离子的自由基；

各n为有理数目且根据各别M的价数选择；且

b为1到10范围内的整数；

-任选地，至少一种羟基羧酸；

-任选地，聚亚烷基二醇；和

II)金离子的水溶液。