[发明专利]试样支承体、试样的离子化方法及质谱分析方法在审
申请号: | 201880087782.3 | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN111656180A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 泷本未羽;大村孝幸;小谷政弘 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | G01N27/62 | 分类号: | G01N27/62 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;王昊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 试样 支承 离子化 方法 谱分析 | ||
1.一种试样支承体,其用于将试样离子化,其特征在于,具备:
第一层,其上形成有多个第一贯通孔;
导电层,其以不堵塞所述第一贯通孔的方式设置于所述第一层的表面;和
第二层,其设置于所述第一层的与所述导电层的相反侧,且其上形成有多个第二贯通孔,
所述多个第一贯通孔和所述多个第二贯通孔沿所述第一层和所述第二层的厚度方向延伸,
所述多个第二贯通孔分别与所述多个第一贯通孔中的一个以上的所述第一贯通孔连通,
所述第一贯通孔的宽度小于所述第二贯通孔的宽度,
所述第一贯通孔的开口率小于所述第二贯通孔的开口率。
2.根据权利要求1所述的试样支承体,其特征在于,
还具备框体,其设置于所述第一层的与所述第二层的相反侧,且固定于所述第一层的周缘部。
3.根据权利要求1或2所述的试样支承体,其特征在于,
所述第一贯通孔的宽度为1nm~700nm,
所述第一层的厚度为1μm~50μm。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的试样支承体,其特征在于,
所述第二贯通孔的宽度为1μm~1000μm,
所述第二层的厚度为1μm~3000μm。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的试样支承体,其特征在于,
所述第一层和所述第二层彼此分体形成。
6.根据权利要求5所述的试样支承体,其特征在于,
还具备固定部件,其设置于所述第一层和所述第二层的外缘部,且夹持所述第一层和所述第二层。
7.根据权利要求5所述的试样支承体,其特征在于,
还具备粘接层,其设置于所述第一层和所述第二层之间,且将所述第一层和所述第二层接合。
8.根据权利要求1~4中任一项所述的试样支承体,其特征在于,
所述第一层和所述第二层通过相同材料形成为一体。
9.根据权利要求8所述的试样支承体,其特征在于,
所述材料是经阳极氧化的阀金属或经阳极氧化的硅。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的试样支承体,其特征在于,
所述第一层和所述第二层具有柔性。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的试样支承体,其特征在于,
所述第一层及所述第二层呈弯曲形状。
12.一种试样支承体,其用于将试样离子化,其特征在于,具备:
第一层,其具有导电性,且其上形成有多个第一贯通孔;
第二层,其设置于所述第一层的一侧,且其上形成有多个第二贯通孔,
所述多个第一贯通孔和所述多个第二贯通孔沿所述第一层和所述第二层的厚度方向延伸,
所述多个第二贯通孔分别与所述多个第一贯通孔中的一个以上的所述第一贯通孔连通,
所述第一贯通孔的宽度小于所述第二贯通孔的宽度,
所述第一贯通孔的开口率小于所述第二贯通孔的开口率。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的试样支承体,其特征在于,
还具备第三层,其设置于所述第一层的与所述第二层的相反侧,
所述第一层和所述第二层具有柔性,
所述第三层由形状记忆材料形成。
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