[发明专利]场效应晶体管传感器检测测定以及制造和使用其的系统和方法在审
申请号: | 201880087839.X | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN111712712A | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 巴拉什·塔库拉帕里 | 申请(专利权)人: | 伊纳诺生物股份有限公司 |
主分类号: | G01N33/50 | 分类号: | G01N33/50;G01N33/53;G01N33/543 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 葛臻翼;张佳鑫 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 传感器 检测 测定 以及 制造 使用 系统 方法 | ||
1.一种用于检测目标分析物的装置,该装置包含:
传感器装置,其包含暴露于环境的表面;
捕获剂,其位于表面上或表面附近,捕获剂配置为选择性结合目标分析物;
任选地,初级结合剂,其与目标分析物结合;
报告酶,其与初级结合剂或目标分析物结合;以及
酶底物,其在报告酶的存在下进行生物化学反应以产生酶反应产物,
其中传感器装置通过检测由于酶反应产物的产生而导致的环境电性质或表面机械性质的改变来产生信号。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述捕获剂固定于表面上或表面附近。
3.如权利要求1所述的装置,其中所述目标分析物包括测试介质中的分子或生物标志物或离子物质。
4.如权利要求1所述的装置,其中所述酶反应产物包含离子。
5.如权利要求1所述的装置,其中所述酶反应产物与表面结合。
6.如权利要求1所述的装置,其中所述电性质包括一种或多种电荷和电位。
7.如权利要求1所述的装置,其中所述传感器装置包括场效应晶体管(FET)传感器或完全耗尽的指数耦合(FDEC)FET传感器。
8.如权利要求1所述的装置,其中所述传感器装置以阵列形式存在,其包括多个传感器装置和固定在每个传感器装置上或附近的独特的捕获剂。
9.如权利要求1所述的装置,其中所述传感器装置以阵列形式存在,其包括多个传感器装置和固定在阵列中的多个传感器装置上或附近的独特的捕获剂。
10.一种用于检测目标分析物的装置,该装置包含:
传感器基材,其包括传感器装置;
互补基材,其包括与目标分析物选择性结合的捕获剂;
任选地,初级结合剂,其与目标分析物结合;
报告酶,其与初级结合剂或目标分析物结合;以及
酶底物,其在报告酶的存在下进行生物化学反应以产生酶反应产物,
其中传感器装置通过检测由于酶反应产物的产生而导致的环境电性质或表面机械性质的改变来产生信号。
11.如权利要求10所述的装置,其中所述互补基材包括捕获剂的阵列。
12.如权利要求10所述的装置,其中所述传感器基材包括传感器装置的阵列。
13.如权利要求10所述的装置,其中,包括传感器装置阵列的传感器基材与包括捕获剂的匹配阵列的互补基材对准、叠置,以形成微流体通道,用以在传感器基材和互补基材之间形成流体流动。
14.如权利要求13所述的装置,其中所述流动引发报告酶反应,从而产生酶反应产物。
15.如权利要求10所述的装置,其中所述互补基材包括多种捕获剂、和固定于多个点的每个点的独特的捕获剂。
16.如权利要求10所述的装置,其中所述互补基材包括使用抗表位抗体固定在表面上的表位标签融合蛋白,其中融合蛋白可以以阵列形式原位表达。
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