[发明专利]光半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光半导体元件，其特征在于，具备：

半导体基板；

第1半导体层，设置于所述半导体基板上；

台面波导，设置于所述第1半导体层的主面上；

埋入层，以使所述第1半导体层的上表面的一部分露出的方式覆盖所述第1半导体层的上表面；

台面构造，设置于所述第1半导体层的被所述埋入层覆盖的部分和所述第1半导体层露出的部分的边界，一方的侧面被所述埋入层覆盖，另一方的侧面露出；以及

电极，设置于所述第1半导体层上并与所述第1半导体层电连接，

所述台面构造以及所述边界以包围所述电极的方式设置，

所述电极设置于所述第1半导体层露出的部分。

2.根据权利要求1所述的光半导体元件，其特征在于，

所述台面构造设置于所述边界弯曲的部分。

3.根据权利要求1所述的光半导体元件，其特征在于，

所述电极被引出至所述埋入层的上表面，

所述台面构造包围所述第1半导体层和所述电极被电连接的部分。

4.根据权利要求1所述的光半导体元件，其特征在于，具备：

第1电极，设置于所述台面波导的上表面，与所述台面波导电连接；

第2电极，设置于所述第1半导体层上，与所述第1半导体层电连接；以及

电极焊盘，与所述第1电极电连接，

所述埋入层在设置所述第1电极以及所述电极焊盘的区域中覆盖所述半导体基板、所述第1半导体层以及所述台面波导，在所述埋入层的上表面设置所述第1电极以及所述电极焊盘，

所述台面构造以使所述埋入层的端部位于所述台面构造的上表面的方式沿着所述端部设置，

所述台面构造的上表面的一部分沿着所述埋入层的端部，在设置所述埋入层的区域侧被所述埋入层覆盖，在与设置所述埋入层的区域侧相反的一侧露出。

5.根据权利要求4所述的光半导体元件，其特征在于，

所述台面构造设置于所述埋入层的端部弯曲的部分。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的光半导体元件，其特征在于，

形成于所述台面构造的上表面的所述埋入层的第1厚度小于形成于所述第1半导体层的主面上的所述埋入层的第2厚度。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的光半导体元件，其特征在于，

所述埋入层是包含苯并环丁烯或者聚酰亚胺树脂的树脂。

8.一种光半导体元件的制造方法，其特征在于，具备：

在半导体基板上形成第1半导体层的工序；

在所述第1半导体层的主面上形成台面波导及台面构造的工序；

以覆盖所述半导体基板、所述第1半导体层、所述台面波导及所述台面构造的方式形成埋入层的工序；

去除所述埋入层的一部分，使所述第1半导体层的主面的一部分露出的工序；以及

在所述第1半导体层上形成与所述第1半导体层电连接的电极的工序，

在形成所述台面构造的工序中，以包围所述电极的方式形成所述台面构造，

在进行所述露出的工序中，以在所述台面构造的一方的侧面留下所述埋入层并使所述台面构造的另一方的侧面露出的方式使所述第1半导体层的主面的一部分露出，在所述台面构造包围所述电极的区域中使所述第1半导体层露出。

9.根据权利要求8所述的光半导体元件的制造方法，其特征在于，具备：

在所述台面波导的上表面及所述埋入层上形成与所述台面波导电连接的第1电极的工序；

在所述第1半导体层上形成与所述第1半导体层电连接的第2电极的工序；以及

在所述埋入层上形成与所述第1电极电连接的电极焊盘的工序，

在形成所述台面构造的工序中，以包围设置所述第1电极以及所述电极焊盘的区域的方式形成所述台面构造，

在进行所述露出的工序中，除了设置所述第1电极以及所述电极焊盘的区域以外去除所述埋入层。

10.根据权利要求8或9所述的光半导体元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述台面波导以及所述台面构造的工序中，在同一加工工艺中同时形成所述台面波导以及所述台面构造。