[发明专利]通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法

权利要求书

1.一种通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法，所述方法包括：

使所述衬底与包括金属有机前体的第一气相反应物接触，所述金属有机前体包括选自由以下组成的群组的金属：铂、钯、铝、钛、铋、锌和其组合；

在衬底与第一气相反应物接触之后，使衬底与含氧等离子体接触；以及

在衬底与含氧等离子体接触之后，使所述衬底与包括四氧化钌的第二气相反应物接触，

其中所述含钌膜包括钌-铂合金、钌-钯合金或三元氧化钌中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述循环沉积工艺包括原子层沉积工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述循环沉积工艺包括循环化学气相沉积工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括至少一个沉积循环，其中所述衬底交替地且依序地与所述第一气相反应物和所述第二气相反应物接触。

5.根据权利要求4所述的方法，其中重复所述沉积循环两次或更多次。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属有机前体包括选自由以下组成的群组的金属有机铂前体：(三甲基)甲基环戊二烯铂、(三甲基)环戊二烯基(C₅H₅)Pt(CH₃)₃、Pt(乙酰基丙酮酸)₂、Pt(PF₃)₄、Pt(CO)₂Cl₂、顺式[Pt(CH₃)₂((CH₃)NC)₂]以及六氟乙酰基丙酮酸铂。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述含钌膜包括钌-铂合金。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属有机前体包括选自由Pd(thd)₂和Pd(hfac)₂组成的群组的金属有机钯前体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述含钌膜包括钌-钯合金。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属有机前体包括选自由以下组成的群组的金属有机钛前体：四(二甲基酰胺)钛(TMDAT)、五甲基环戊二烯基三甲氧基钛(CpMe₅Ti(OMe)₃)、甲醇钛(Ti(OMe)₄)、乙醇钛(Ti(OEt)₄)、异丙醇钛(Ti(OPr)₄)或丁醇钛(Ti(OBu)₄)。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述含钌膜包括氧化钌钛(Ru_xTi_yO_z)。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属有机前体包括选自由以下组成的群组的金属有机铋前体：[(dmb)₂Bi-O-Bi(dmb)₂]₂、三(2,3-二甲基-2-丁氧基)铋(III)、三(叔丁氧基)铋(III)、三(异丙氧基)铋(III)、Bi(N(SiMe₃)₂)₃、Bi(thd)₃、Bi(O^tBu)₃、Bi(dmb)₃和Bi(CH₂SiMe₃)₃。