[发明专利]单晶硅晶圆的热处理方法在审
| 申请号： | 201880089052.7 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111788662A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 曲伟峰;砂川健;中杉直 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 热处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅晶圆的热处理方法，其为在氮化性气氛下对Nv区域的单晶硅晶圆进行RTA热处理后，进行第二热处理而将BMD密度控制至规定的BMD密度的热处理方法，所述热处理方法的特征在于，
预先求出BMD密度与RTA温度的关系的关系式，
根据所述关系式，确定用于得到所述规定的BMD密度的RTA温度。
2.根据权利要求1所述的单晶硅晶圆的热处理方法，其特征在于，所述第二热处理在850～950℃、2小时以上且小于32小时的范围内的条件下进行。
3.根据权利要求1或2所述的单晶硅晶圆的热处理方法，其特征在于，所述氮化性气氛为含有氨气的气氛。
4.根据权利要求3所述的单晶硅晶圆的热处理方法，其特征在于，
将所述规定的BMD密度的控制范围设为1×109～1×1011/cm3，
将BMD密度(/cm3)＝3×1040exp(-8.86eV/kT)用作所述关系式，以成为规定的BMD密度的方式确定RTA温度。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的单晶硅晶圆的热处理方法，其特征在于，将所述RTA热处理的热处理时间设为1秒以上且小于10秒。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的单晶硅晶圆的热处理方法，其特征在于，将所述单晶硅晶圆的氧浓度设为13ppma(JEIDA)以上且小于17ppma(JEIDA)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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