[发明专利]半导体元件、半导体装置、电力变换装置以及半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，具备：

基底，由半导体构成；

第1电极，配设于所述基底上；以及

有机树脂部件，选择性地配设于所述第1电极上，

所述有机树脂部件在所述有机树脂部件的顶视时的周缘部的至少一部分中的剖面视时的与所述第1电极相接的下部具有朝向所述第1电极的上表面的面方向的突出部，

所述半导体元件还具备配设于所述第1电极以及所述突出部上的第2电极。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，

所述有机树脂部件的所述周缘部的至少一部分包括所述有机树脂部件的所述周缘部中的在俯视时向外侧凸起的凸形状的部分。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体元件，其中，

所述突出部的上表面相对所述第1电极的上表面倾斜。

4.根据权利要求1或者2所述的半导体元件，其中，

所述第1电极包含Al，

所述第2电极包含Ni，

所述有机树脂部件包含聚酰亚胺部件，

所述有机树脂部件的所述周缘部的至少一部分包括所述有机树脂部件的所述周缘部中的在俯视时曲率半径为200μm以上的部分。

5.根据权利要求1或者2所述的半导体元件，其中，

所述第1电极包含Al，

所述第2电极包含Ni，

所述有机树脂部件包含聚酰亚胺部件，

配设于所述突出部上的所述第2电极的最小厚度相对配设于所述第1电极上的所述第2电极的厚度的比率是0.4以上。

6.根据权利要求1或者2所述的半导体元件，其中，

所述第1电极包含Al，

所述第2电极包含Ni，

所述有机树脂部件包含聚酰亚胺部件，

配设于所述第1电极上的所述第2电极的厚度是10nm以上且100μm以下。

7.一种半导体装置，具备：

权利要求1至6中的任意一项所述的半导体元件；

绝缘基板，具有设置有与所述半导体元件经由第1接合材料接合的第1导板的一方的面及设置有第2导板的另一方的面；

线，与所述半导体元件电连接；以及

冷却部件，与所述第2导板经由第2接合材料接合。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

还具备缓冲板，该缓冲板具有与所述半导体元件经由第3接合材料接合的一方的面和与所述线连接的另一方的面。

9.根据权利要求7或者8所述的半导体装置，其中，

所述线包含Al或者Cu。

10.一种半导体装置，具备：

权利要求1至6中的任意一项所述的半导体元件；

绝缘基板，具有设置有与所述半导体元件经由第1接合材料接合的第1导板的一方的面和设置有第2导板的另一方的面；

金属板，与所述半导体元件电连接；以及

冷却部件，与所述第2导板经由第2接合材料接合。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

还具备缓冲板，该缓冲板具有与所述半导体元件经由第3接合材料接合的一方的面和与所述金属板连接的另一方的面。

12.一种电力变换装置，具备：

主变换电路，具有包括权利要求1至6中的任意一项所述的半导体元件的半导体装置，该主变换电路变换输入的电力而输出；

驱动电路，将控制所述半导体装置的控制信号输出给所述半导体装置；以及

控制电路，将控制所述驱动电路的控制信号输出给所述驱动电路。

13.一种半导体元件的制造方法，是权利要求1至6中的任意一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述有机树脂部件通过将利用光刻工序形成图案的抗蚀剂作为掩模而进行蚀刻而形成。