[发明专利]防止LED管芯污染的方法

说明书

提供一种允许反射层邻接倚靠金属接触部的边缘同时防止LED管芯的金属接触部的污染的方法。该方法包括在沉积反射膜层之前用阻挡层封装电接触（即，金属接触部）过孔。阻挡层通过限定具有比金属接触部过孔更大大小的掩模图案来封装金属接触部，这防止了金属接触部被反射膜污染。这种封装减少了金属接触部的污染，并且还减少了LED管芯工作期间的电压降。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年12月14日提交的美国非临时申请15 / 842,391和2018年1月31日提交的欧洲专利申请第18154461.0号的权益，它们的内容通过引用在此并入本文。

技术领域

本发明大体上涉及发光二极管（LED），并且更具体地涉及最小化LED处理期间的污染。

背景技术

包括变化的LED管芯架构的应用是已知的。在需要电接触的LED布置的区域中创建过孔。本领域普通技术人员理解，在沉积期间或在随后的处理步骤中，诸如银（Ag）和铝（Al）的可移动原子可以迁移或以其他方式重定位到过孔中。

这在某些LED管芯中尤其成问题，因为已知Ag污染下面的外延。防止污染的典型方法是提供阻挡层（或如图1中示出的电介质层114），并在位于下面的阻挡材料中的过孔和位于Ag层中的过孔之间提供大的偏移。随后通过覆盖保护板材料（诸如镍（Ni）或钨（W））来密封Ag层，这导致Ag层的总表面积的减少，并减少了每个LED管芯上的反射面积。

生产LED管芯通常涉及多轮掩模和光刻，这需要第二沉积层中的大的过孔大小，以为由于过孔未对准而导致的问题提供余量。第一沉积层和第二沉积层之间的过孔大小的这种不匹配限定了关键尺寸（CD）的大小，并且如果使用蚀刻来形成过孔，则这导致大的底切，从而导致增大的CD。

半导体材料的蚀刻是众所周知的，并且在美国专利9,583,353中描述，该专利通过引用并入本文，如同完全阐述一样。包括用于LED架构的晶片接合的应用也是众所周知的。在美国专利8,154,042中公开了另一种已知类型的LED管芯，该专利通过引用并入本文，如同完全阐述一样。这些已知类型的器件已经产生了显著增加的光输出。然而，仍然存在污染问题。

LED管芯中的反射层以各种方式污染相关联的金属接触部。由于接触金属之上的直接沉积、反射膜退火工艺、在反射层的蚀刻工艺期间与过孔接触的蚀刻产物的侵入和/或由于在反射层的形成期间从第一阻挡层去除材料而在随后的接合层中的空隙，可能发生污染。如果反射膜的微量元素与下面的外延变成电接触，则可能导致一致的高正向电压。

将期望提供一种防止LED管芯中的金属接触部的污染的可靠方法。

发明内容

简要地说，提供了一种用于防止在LED管芯的金属接触部处的污染的方法。

本公开提供了施加阻挡层以封装电接触（即，金属接触部）的方法，这最小化了反射层中的关键尺寸（CD），从而增加了LED管芯上的总反射表面。阻挡层通过限定具有比金属接触部过孔更大大小的掩模图案来封装金属接触部，这防止了金属接触部被反射膜污染。这种封装防止了金属接触部的污染，并且还减少了LED管芯工作期间的电压升高。

附图说明

当结合所附附图阅读时，将最好地理解前述发明内容以及以下详细描述。在附图中：

图1A-1H图示了根据第一实施例的用于形成LED管芯的步骤。

图2图示了在位于LED管芯中的阻挡层和反射层之间形成的间隙。

图3A-3G图示了根据第二实施例的用于形成LED管芯的步骤。

图4图示了示出LED管芯的特性的表格。

图5A图示了根据现有技术的LED管芯的形貌。