[发明专利]获得氮化物层的方法

权利要求书

1.获得氮化物(N)层(550)的方法，该氮化物层优选由镓(Ga)、铟(In)和铝(Al)中的至少一种获得，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

-提供叠层，包括衬底(100)和从所述衬底(100)连续设置的至少以下层：

·第一层，称为蠕变层(200)，由具有玻璃化转变温度的材料制成，所述蠕变层(200)具有玻璃化转变温度T_{玻璃化转变}，

·第二结晶层，称为结晶层(300)，不同于所述蠕变层(220)，

-通过蚀刻至少所述结晶层(300)和所述蠕变层(200)的至少一部分(220)来形成衬垫(1000a-1000e)，使得：

ο每个衬垫(1000a-1000e)至少包括：

·第一部分，称为蠕变部分(220a，220b)，由所述蠕变层(200)的至少一部分形成，

·第二结晶部分，称为结晶部分(300a，300b)，由所述结晶层(300)形成并覆盖所述蠕变部分(220a，220b)，

ο每个衬垫(1000a-1000e)具有最大尺寸为10至500nm(10^-9m)的截面；

-在至少一些所述衬垫(1000a-1000e)上通过外延生长微晶(510a-510e)，并使所述微晶(510a-510e)继续所述外延生长，至少直到由两个相邻衬垫(1000a-1000e)承载的微晶(510a-510e)聚结，从而形成所述氮化物层(550)，所述外延生长在T_外延温度下进行，使得：

T_外延≥k1·T_{玻璃化转变}，k1≥0.8。

2.根据前述权利要求所述的方法，其中所述蠕变层(200)由选自以下的材料制成：

-氧化硅SixOy，x和y是整数，优选地，所述蠕变层由SiO₂制成，

-玻璃，

-硼硅酸盐玻璃，

-硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中k1≥1，优选k1≥1.5。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中T_外延≤k2*T_最低熔点，T_最低熔点是形成所述衬垫的部分的熔化温度中的最低熔化温度，k2≤0.9，优选k2≤0.8。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述衬垫(1000a-1000e)包括至少一个缓冲层(400)，所述缓冲层(400)位于所述结晶层(300)上，并且由不同于所述氮化物层(550)的材料制成，其中优选地，所述氮化物层(550)是氮化镓(GaN)层，所述缓冲层(400)由氮化铝(AlN)制成。

6.根据前述权利要求所述的方法，其中在通过蚀刻形成衬垫(1000a-1000e)的步骤之前，通过外延淀积在所述结晶层(300)的顶部形成所述缓冲层(400)。

7.根据前述两项权利要求中任一项所述的方法，其中所述氮化物层(550)是氮化镓层(GaN)，其中在所述氮化物层(550)的外延生长步骤之前，所述衬垫(1000a-1000e)包括至少一个底层(500)，所述底层(500)位于所述缓冲层(400)之上并由氮化镓(GaN)制成。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在通过蚀刻形成所述衬垫(1000a-1000e)的所述步骤之前，所述叠层包括位于所述结晶层(300)之上的至少一个底层(500)，所述底层(500)由与所述氮化物层(550)相同的材料制成。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中提供所述叠层包括提供绝缘体上硅(SOI)类型的精细衬底，该精细衬底包括基础衬底(100)，该基础衬底上依次设置有形成所述蠕变层(200)的氧化物层和形成所述结晶层(300)的半导体层。