[发明专利]LED阵列的波长转换层图案化

权利要求书

1. 一种方法，包括：

将波长转换层沉积到表面上，所述波长转换层包括光引发剂和粘合剂材料；和

通过将纳米压印光刻工艺施加于所述波长转换层来图案化所述波长转换层，所述纳米压印光刻工艺包括：

在所述波长转换层上施加纳米压印模具；

固化所述波长转换层，使得所述光引发剂经历脱羧；和

在所述固化后从所述波长转换层上去除所述纳米压印模具。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述脱羧产生超碱。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述超碱在所述粘合剂材料的反应性链端和可交联衬底中的一个上引起催化作用。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合剂材料在所述固化期间经历缩聚和开环聚合中的一个。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述波长转换层用紫外（UV）光固化。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光引发剂是通过一种或多种碱与酸的相互作用生成的盐。

7.根据权利要求2所述的方法，还包括：使用热固化和后烘烤中的一个去除所述超碱。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：将第一转换器膜施加到第一发光器件上，并且将第二转换器膜施加到第二发光器件上，使得所述第一转换器膜和所述第二转换器膜是通过使所述波长转换层图案化生成的所述波长转换层的段。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合剂材料包括硅氧烷材料、聚硅氮烷或溶胶-凝胶材料中的一个或多个。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述波长转换层还包括多个光学隔离颗粒。

11.一种器件，包括：

多个GaN台面；

与所述GaN台面接触的网状壁；和

沉积到所述网状壁中的多个腔中的波长转换层。

12.根据权利要求11所述的器件，其中，通过模涂、刮涂、喷涂或层压中的至少一个，将所述转换器材料沉积到所述多个腔的第一腔和第二腔中。

13.根据权利要求11所述的器件，其中，所述波长转换层包括磷光体颗粒。

14.根据权利要求11所述的器件，其中，所述网状壁的结构是通过直接紫外（UV）纳米压印光刻工艺、热纳米压印光刻工艺和接触印刷工艺中的一个创建的。

15.根据权利要求11所述的器件，其中，所述多个腔中的第一腔小于100微米宽。

16.一种器件，包括：

表面上的第一波长转换层，所述第一波长转换层包括光引发剂和选自硅氧烷材料、聚硅氮烷和溶胶-凝胶材料中的一个或多个的粘合剂材料；

所述表面上的第二波长转换层，所述第二波长转换层包括多个光学隔离颗粒、脱羧的光引发剂和选自硅氧烷材料、聚硅氮烷和溶胶-凝胶材料中的一个或多个的粘合剂材料；和

超碱。

17.根据权利要求16所述的器件，还包括纳米压印模具。

18.根据权利要求16所述的器件，其中，所述第一波长转换层和所述第二波长转换层是相同的原始波长转换层的部分，并且所述第二波长转换层是所述原始波长转换层经历了经由脱羧而固化的部分。

19.根据权利要求16所述的器件，其中，所述脱羧的光引发剂经由UV光被脱羧。

20.根据权利要求16所述的器件，其中所述超碱是通过脱羧创建的。