[发明专利]双面光伏电池及其制造方法

权利要求书

1.一种生产双面光伏电池的方法，所述方法包括：

a)在半导体基板的第二表面上形成含硼层；

b)在所述含硼层上方形成盖层；以及

c)同时实现：

使用POCl₃蒸气作为围绕所述半导体基板的气相成分，在所述半导体基板的第一表面上沉积含磷层，

在所述上述的气态气氛中，从所述含磷层磷扩散到所述基板中以形成n型掺杂层，

将所述硼从所述含硼层扩散到所述半导体基板中以形成p⁺层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过沉积选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的物质来实现形成所述盖层。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，通过DC或射频溅射来实现形成所述盖层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，实现形成所述盖层，使得所述盖层的厚度在3至80nm的范围内。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，进一步包括：

d)通过纹理化从所述半导体基板去除所述n型掺杂层；

e)在所述第二表面上形成钝化和/或抗反射涂层；以及

f)随后用n型掺杂剂掺杂所述第一表面。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括在通过纹理化去除在所述第一表面上的所述n型掺杂层之后，以及在形成所述钝化和/或抗反射涂层之前，去除所述盖层。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述随后用n型掺杂剂掺杂所述第一表面以形成特征在于薄层电阻在70-150欧姆的范围内的n⁺层。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，选择所述盖层，使得其在暴露于空气时将所述含硼层的氧化度降低至少90％。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，选择所述盖层，使得其在暴露于空气时将所述含硼层的吸水度降低至少90％。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，选择所述盖层，使得在实现所述硼的所述扩散时，所述含硼层中不超过5％的硼逸出到所述周围气氛中。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，选择所述盖层，使得其在实现所述硼的所述扩散时将扩散到所述基板的所述第一表面中的硼的量减少至少95％。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，通过暴露于在850℃至1050℃的范围内的温度来实现将所述硼从所述含硼层扩散。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中，各自在半导体基板的第一表面上形成所述含n型掺杂剂层之前实现形成所述含硼层以及在所述含硼层上方形成所述盖层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，选择所述盖层，使得其在所述n型掺杂剂和所述硼的所述扩散时将扩散到所述半导体基板的所述第二表面中的所述n型掺杂剂的量减少至少99％。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中，通过选自由离子注入、溅射、化学气相沉积和物理气相沉积组成的组中的技术来实现在所述第二表面上形成所述含硼层。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，进一步包括在所述第一表面和所述第二表面中的每个表面上形成电触点。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述含硼层在所述第二表面的一些区域中厚度更大，所述方法包括在所述第二表面的所述区域上选择性地形成电触点。