[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
申请号: | 201880090875.1 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN111886677A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 太田乔;林昌之;奥田次郎;中岛章宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/027;H01L21/304 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,利用处理液来对基板进行处理,包括:
基板保持部,保持着所述基板进行旋转;
喷嘴,对所述经保持的基板喷出所述处理液;
供给调节部,调节所述处理液向所述喷嘴的供给量;
受液部,与所述基板保持部相比而位于外侧,接受所述喷嘴所喷出的所述处理液;
温度检测部,在预分配处理执行中的所述处理液的温度到达目标温度之前,检测所述处理液的温度;以及
控制部,依照预分配处理条件控制所述供给调节部,来执行所述预分配处理,
所述预分配处理是指在对所述基板喷出所述处理液之前,朝向所述受液部喷出所述处理液的处理,
所述控制部基于目标温度预测时间,来设定所述预分配处理中的所述处理液的喷出停止时间,
所述目标温度预测时间是指所述处理液的温度自检测温度起到达所述目标温度为止的预测时间,
所述检测温度是指通过所述温度检测部在到达所述目标温度之前检测出的所述处理液的温度,
所述目标温度预测时间是基于温度分布图而定,
所述温度分布图是指过去依照所述预分配处理条件执行所述预分配处理时的所述处理液的温度的时间推移的记录。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述控制部基于所述温度分布图来决定与所述处理液的所述检测温度相应的所述目标温度预测时间。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述温度检测部对在所述预分配处理执行中所述处理液的温度到达了预定温度的情况进行检测,
所述预定温度比所述目标温度低,
在自检测到所述处理液的温度到达了所述预定温度的情况的时刻起经过所述目标温度预测时间时,所述控制部以停止所述预分配处理中的所述处理液的喷出的方式对所述供给调节部进行控制。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述温度检测部在所述预分配处理执行中的预定检测时刻对所述处理液的温度进行检测,
所述预定检测时刻是指所述处理液的温度到达所述目标温度之前的时刻,
在自所述预定检测时刻起经过所述目标温度预测时间时,所述控制部以停止所述预分配处理中的所述处理液的喷出的方式对所述供给调节部进行控制。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述控制部依照自多个所述预分配处理条件中所选择的预分配处理条件对所述供给调节部进行控制,来执行所述预分配处理,
记录所述温度分布图中的温度的时间推移时的所述预分配处理条件与所述所选择的预分配处理条件相同。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述温度分布图是指过去在所述基板处理装置的状态为状态信息所表示的状态时,依照所述预分配处理条件来执行所述预分配处理时的所述处理液的温度的时间推移的记录,
所述状态信息包括:表示自最近的基板处理完成时起的经过时间的信息、及表示在对基板进行逐片处理时是第几片基板被保持于所述基板保持部的信息中的至少一者的信息。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述处理液包含磷酸、或硫酸过氧化氢水混合液。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置,还包括多个腔室,
其中每个所述腔室包括:
所述基板保持部、所述喷嘴、所述供给调节部、所述受液部及所述温度检测部,
所述多个腔室分别收容所述基板保持部、所述喷嘴、所述供给调节部、所述受液部及所述温度检测部,
所述控制部针对每个所述腔室,基于所述目标温度预测时间来设定所述预分配处理中的所述处理液的喷出停止时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造