[发明专利]热利用装置在审

专利信息
申请号: 201880090904.4 申请日: 2018-03-06
公开(公告)号: CN111819425A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 原晋治;太田尚城;青木进;小村英嗣;海津明政 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01J1/02 分类号: G01J1/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 利用 装置
【权利要求书】:

1.一种热利用装置,其中,

具有:

电阻根据温度而变化的热敏电阻;以及

连接于所述热敏电阻的配线层,

所述配线层中的声子的平均自由行程比由所述配线层的材料构成的无限介质中的声子的平均自由行程小。

2.根据权利要求1所述的热利用装置,其中,

具有支撑所述热敏电阻和所述配线层,并且具有比所述配线层低的热传导率的支撑层。

3.根据权利要求2所述的热利用装置,其中,

具有形成相对于外部为负压的内部空间的容器、以及在所述内部空间被所述容器支撑的多个支柱,所述热敏电阻、所述配线层和所述支撑层被容纳于所述内部空间,所述支撑层仅经由所述多个支柱而连接于所述容器。

4.根据权利要求3所述的热利用装置,其中,

所述支撑层具有支撑所述热敏电阻的中央部、以及保持所述配线层的至少一部分并连接所述中央部和所述支柱的臂部。

5.根据权利要求4所述的热利用装置,其中,

所述配线层的中心线与所述臂部的延伸的方向交叉。

6.根据权利要求1~5中的任一项所述的热利用装置,其中,

具有将所述配线层在该配线层的厚度方向上分离并且热传导率比所述配线层低的分离层。

7.根据权利要求1~6中的任一项所述的热利用装置,其中,

具有将所述配线层在该配线层的宽度方向上分离并且热传导率比所述配线层低的分离层。

8.根据权利要求6或7所述的热利用装置,其中,

所述分离层由选自AlN、AlOx、类金刚石碳、SiNx、SiOx、TaOx、TiO2、Si中的一种或两种以上的材料构成。

9.根据权利要求4~8中的任一项所述的热利用装置,其中,

具有分散配置于所述配线层,并且热传导率比所述配线层低的分散体。

10.一种热利用装置,其中,

具有:

电阻根据温度而变化的热敏电阻;

连接于所述热敏电阻的臂部;以及

沿着所述臂部延伸,并且导电体形成宽度方向和厚度方向的缘部的至少一部分的带状区域,

所述导电体从连接于所述热敏电阻的一端到另一端为止连续地延伸,并且在所述带状区域的内侧具有与热传导率比所述导电体低的物质的界面。

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