[发明专利]集成多相非耦合功率电感器及制造方法有效
申请号: | 201880091116.7 | 申请日: | 2018-03-21 |
公开(公告)号: | CN111837206B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 颜毅鹏;徐金良;周邓燕;卢进 | 申请(专利权)人: | 伊顿智能动力有限公司 |
主分类号: | H01F17/04 | 分类号: | H01F17/04 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 多相 耦合 功率 电感器 制造 方法 | ||
1.一种电感器组件总成,所述电感器组件总成包括:
多个导电绕组,每个导电绕组包括平面主绕组部分和相对的绕组支脚,所述相对的绕组支脚从所述平面主绕组部分垂直延伸;
集成磁芯结构,所述集成磁芯结构以彼此间隔开的非磁耦合布置方式接纳所述多个导电绕组中的每个导电绕组;
其中所述集成磁芯结构包括一系列磁间隙,所述系列磁间隙的每个间隙分别在所述平面主绕组部分中的一个平面主绕组部分上居中并且改变所述平面主绕组部分的相对侧上的所述集成磁芯结构的相应的磁间隙特性,并且所述系列磁间隙的至少一个间隙仅在至少一个导电绕组和所述集成磁芯结构的外壁之间的距离的一部分上延伸;
其中所述相对的绕组支脚的端部在所述集成磁芯结构的底侧壁上被向内转动,以限定用于连接到电路板的表面安装终端;以及
其中所述电感器组件总成能够操作为摆动电感器组件,其中,所述集成磁芯结构在第一范围的低电流条件下以高电感水平操作并且在第二范围的高电流条件下以低电感水平操作。
2.根据权利要求1所述的电感器组件总成,其中所述集成磁芯结构是单个磁芯件,所述单个磁芯件包括所述系列磁间隙。
3.根据权利要求2所述的电感器组件总成,其中所述系列磁间隙包括第一系列磁间隙和第二系列磁间隙,所述第一系列磁间隙在所述多个导电绕组的每个导电绕组的所述主绕组部分上方的所述单个磁芯件的顶侧壁上延伸,所述第二系列磁间隙在所述多个导电绕组的每个导电绕组的所述主绕组部分下方的所述单个磁芯件的底侧壁上延伸。
4.根据权利要求3所述的电感器组件总成,其中所述第一系列磁间隙或所述第二系列磁间隙包括气隙。
5.根据权利要求1所述的电感器组件总成,其中所述集成磁芯结构包括相对的纵向侧壁和在所述纵向侧壁中的每个纵向侧壁中的一系列狭槽,所述系列狭槽中的每个狭槽接纳所述多个导电绕组中的相应一个导电绕组的所述绕组支脚中的相应一个绕组支脚。
6.根据权利要求5所述的电感器组件总成,其中所述多个导电绕组中的所述绕组支脚中的每个绕组支脚暴露在所述纵向侧壁中的一个纵向侧壁上。
7.根据权利要求1所述的电感器组件总成,其中所述多个导电绕组包括七个导电绕组。
8.根据权利要求1所述的电感器组件总成,其中所述系列磁间隙包括气隙或填充的物理间隙。
9.根据权利要求1所述的电感器组件总成,其中所述系列磁间隙在所述集成磁芯结构中分别与所述主绕组部分间隔开。
10.根据权利要求1所述的电感器组件总成,其中所述表面安装终端从所述底侧壁突出。
11.根据权利要求1所述的电感器组件总成,其中所述系列磁间隙包括在所述多个导电绕组的每个导电绕组的所述主绕组部分下方延伸的磁间隙。
12.根据权利要求1所述的电感器组件总成,其中所述集成磁芯结构包括顶侧壁,并且所述多个导电绕组中的每个导电绕组中的所述平面主绕组部分以与所述顶侧壁间隔开的关系彼此共面延伸。
13.根据权利要求12所述的电感器组件总成,其中所述集成磁芯结构为所述多个导电绕组的主绕组部分中的每个主绕组部分限定相应的狭槽,并且整个所述主绕组部分被接纳在每个狭槽中。
14.根据权利要求12所述的电感器组件总成,其中所述绕组支脚的轴向长度小于所述多个导电绕组中的每个绕组中的所述主绕组部分的轴向长度。
15.根据权利要求1所述的电感器组件总成,其中所述电感器组件总成限定功率电感器。
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