[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序

权利要求书

1.一种基板处理装置，具有：

容纳基板的处理室，

气体供给系统，其将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至所述处理室内，和

气体排气系统，其对所述处理室内的气氛进行排气；

所述气体排气系统具有：

与所述处理室连通的共通排气配管，

第一排气配管，其一端经由第一阀门与所述共通排气配管连接，且由不与所述化合物反应的树脂构成，

第二排气配管，其一端经由第二阀门与所述共通排气配管连接，且由金属构成，

与所述第一排气配管连接的第一排气装置，和

与所述第二排气配管连接的第二排气装置。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述共通排气配管是配管内表面被实施了表面处理而不与所述化合物反应的金属配管。

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

所述第一排气装置构成为将所述第一排气配管内进行排气直至预定的第一压力区域的压力为止，

所述第二排气装置构成为将所述第二排气配管内进行排气直至比所述第一压力区域低的第二压力区域的压力为止。

4.如权利要求1～3任一项所述的基板处理装置，其中，

所述第一排气装置由不与所述化合物反应的树脂部件构成。

5.如权利要求1～4任一项所述的基板处理装置，具有：

第一压力传感器，其在第一压力区域的范围内测定所述共通排气配管内的压力，

第二压力传感器，其在所述第一压力区域和比所述第一压力区域低的第二压力区域的范围内测定所述共通排气配管内的压力，

第一压力调整阀，其设置在所述第一排气配管上的比所述第一排气装置更上游侧，其开度基于所述第一压力传感器测定的压力来控制，和

第二压力调整阀，其设置在所述第二排气配管上的比所述第二排气装置更上游侧，其开度基于所述第二压力传感器测定的压力来控制。

6.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，

由所述第一压力传感器测定的压力的范围比由所述第二压力传感器测定的压力的范围窄。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，

所述第一压力传感器构成为仅测定600Torr～大气压的范围的压力，

所述第二压力传感器构成为测定0Torr～大气压的范围的压力。

8.如权利要求1～4任一项所述的基板处理装置，具有：设置在所述第二排气配管上的比所述第二排气装置更上游侧的第二压力调整阀，

所述第二排气配管中，所述第二压力调整阀与所述第二排气装置之间由金属配管构成。

9.如权利要求8所述的基板处理装置，其中，

所述第二排气配管中，在所述第二阀门与所述第二压力调整阀之间是配管内表面被实施了表面处理而不与所述化合物反应的金属配管。

10.如权利要求5～7任一项所述的基板处理装置，具有控制部，所述控制部在控制所述气体供给系统将处理气体供给至所述处理室内的同时，控制各构成以进行第一处理和第二处理，所述第一处理是在打开所述第一阀门且关闭所述第二阀门的状态下驱动所述第一排气装置，所述第二处理是在关闭所述第一阀门且打开所述第二阀门的状态下驱动所述第二排气装置。

11.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，

在所述第一处理中，所述控制部控制所述第一压力调整阀，使得由所述第一压力传感器测定的压力达到预定的第一处理压力，

所述第二处理中，所述控制部控制所述第二压力调整阀，使得由所述第二压力传感器测定的压力达到比所述第一处理压力低的预定的第二处理压力。

12.如权利要求11所述的基板处理装置，其中，

所述第一处理压力是600Torr～大气压的范围的预定压力。