[发明专利]有机EL显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机EL显示装置，其具有多个像素，其特征在于，所述有机EL显示装置具有：

基板、具有由所述基板支承的多个有机EL元件的元件基板以及覆盖所述多个有机EL元件的薄膜密封结构，

所述薄膜密封结构具有第一无机势垒层、形成于所述第一无机势垒层上的有机势垒层以及形成于所述有机势垒层上的第二无机势垒层，

所述第一无机势垒层的与所述有机势垒层接触的表面具有多个细微的凸部，所述表面的粗糙度的最大高度Rz为20nm以上且小于100nm。

2.如权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于，

构成所述有机势垒层的树脂材料填充于所述多个细微的凸部的间隙中。

3.如权利要求1或2所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述元件基板还具有规定所述多个像素中的每一个的堤层，

所述有机势垒层覆盖所述堤层，具有平坦的表面。

4.如权利要求3所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述有机势垒层的厚度为3μm以上且5μm以下。

5.如权利要求1或2所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述元件基板还具有规定所述多个像素中的每一个的堤层，

所述堤层具有包围所述多个像素的每一个的周围的斜面，

所述有机势垒层具有离散地分布的多个实心部，

所述多个实心部具有从所述第一无机势垒层的所述斜面上的部分到所述像素内的周边的像素周边实心部，

与所述像素周边实心部接触的所述第一无机势垒层的表面的粗糙度的最大高度Rz为20nm以上且小于100nm。

6.如权利要求5所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述有机势垒层的厚度为50nm以上且小于200nm，且比所述第一无机势垒层的所述表面粗糙度的最大高度Rz小。

7.如权利要求1至6中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述第一无机势垒层包括SiN层或SiON层。

8.如权利要求7所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述第一无机势垒层仅由SiN层和/或SiON层形成。

9.如权利要求7或8所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述第一无机势垒层包括折射率为1.70以上且1.90以下的SiON层。

10.如权利要求7所述的有机EL显示装置，其特征在于，

第一无机势垒层还包括SiO₂层。

11.如权利要求10所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述SiO₂层的表面与所述有机势垒层接触。

12.如权利要求11所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述SiO₂层的厚度在20nm以上且50nm以下。

13.如权利要求1至12中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述第一无机势垒层的厚度在200nm以上且1500nm以下，且为所述表面的粗糙度的最大高度Rz的5倍以上。

14.一种如权利要求1至13中任一项所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，

所述第一无机势垒层的形成工序包括使用等离子体CVD法沉积包括SiN或SiON的无机绝缘膜的工序，

所述沉积工序包含使所述元件基板的温度上升或使等离子体能量上升的工序。

15.一种如权利要求1至13中任一项所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，

所述第一无机势垒层的形成工序包括：将包括SiN或SiON的无机绝缘膜的沉积工序；以及在所述沉积工序之后用含有氧或臭氧的气体对所述无机绝缘膜的表面进行灰化的工序。