[发明专利]显示装置以及显示装置的制造方法

说明书

本发明的显示装置具备：基板、设置在基板上的第一晶体管、以不与第一晶体管重叠的方式设置在基板上的第二晶体管。第一晶体管具备：设置在基板上的多晶硅层、设置在多晶硅层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第一栅电极、设置在第一栅电极上的第二绝缘膜。第二晶体管具备：设置在第一绝缘膜上的氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层上的第三绝缘膜、设置在第三绝缘膜上的第二栅电极。第一以及第三绝缘膜是SiOx膜。第二绝缘膜是含氢的SiNx膜，并且以与多晶硅层重叠的方式设置，并且以不与氧化物半导体层重叠的方式设置。

技术领域

本发明涉及显示装置以及显示装置的制造方法。

背景技术

显示装置具有以矩阵状配置的多个像素，且在每个像素中具有控制像素的像素电路。另外，公知有具备多个薄膜晶体管的像素电路(例如参照专利文献1)。

显示装置的像素电路通常使用非晶硅-薄膜晶体管(a-Si TFT)、低温多晶硅-薄膜晶体管(LTPS TFT)以及氧化物半导体-薄膜晶体管(氧化物半导体TFT)中的任一种。上述的薄膜晶体管分别具有不同的特性。LTPS TFT具有具备比a-Si TFT以及氧化物半导体TFT大的电子迁移率这样的特性。另外，氧化物半导体TFT具有漏电电流比a-Si TFT以及LTPS TFT少这样的特性。

在像素电路具备多个薄膜晶体管的情况下，多个薄膜晶体管使用同种的薄膜晶体管。由此，能够通过相同的工序生成多个薄膜晶体管，从而能够减少制造成本。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-213454号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

像素电路中所含的驱动晶体管、选择晶体管等具有不同的功能。因此，若这些薄膜晶体管使用同种薄膜晶体管，则难以使各薄膜晶体管具有适当的特性。

本发明是鉴于此种情况而完成的，其目的在于提供具备低温多晶硅-薄膜晶体管(LTPSTFT)以及氧化物半导体-薄膜晶体管双方，并且能够使这些薄膜晶体管正常驱动的显示装置。

解决问题的方案

本发明提供一种显示装置，其特征在于，具备：基板、设置在上述基板上的第一晶体管、以不与第一晶体管重叠的方式设置在上述基板上的第二晶体管，第一晶体管具备：设置在上述基板上的多晶硅层、设置在上述多晶硅层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第一栅电极、设置在第一栅电极上的第二绝缘膜，第二晶体管具备：设置在第一绝缘膜上的氧化物半导体层、设置在上述氧化物半导体层上的第三绝缘膜、设置在第三绝缘膜上的第二栅电极，第一以及第三绝缘膜是SiOx膜，第二绝缘膜是含氢的SiNx膜，并且以与上述多晶硅层重叠的方式设置，并且以不与上述氧化物半导体层重叠的方式设置。

发明效果

本发明的显示装置具备具有多晶硅层的第一晶体管和具有氧化物半导体层的第二晶体管。因此，能够发挥低温多晶硅薄膜晶体管的特性和氧化物半导体薄膜晶体管的特性而构成显示装置的电路，能够提高显示装置的特性。

第一晶体管所含的多晶硅层以与含氢的SiNx膜(第二绝缘膜)重叠的方式设置。因此，能够适当地对多晶硅层实施氢化处理，能够使第一晶体管正常地驱动。

第二晶体管所含的氧化物半导体层以不与含氢的SiNx膜(第二绝缘膜)重叠的方式设置。因此，能够抑制由于SiNx膜所含的氢而使氧化物半导体层还原而使氧化物半导体层的电阻率变化的情况，能够使第二晶体管正常地驱动。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式的显示装置所含的第一以及第二晶体管的结构的概略俯视图。

图2是图1的虚线A-A的显示装置的概略剖视图。