[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，具有：

通过将以下的工序组进行m次，在基板的表面形成初期氧化层的工序，其中，m为1以上的整数，所述工序组是：非同时地进行(a)对所述基板供给含氧气体和含氢气体，在所述基板的氧化量从气体流上游侧至下游侧增大的条件下，使所述基板的表面氧化的工序以及(b)对所述基板供给含氧气体和含氢气体，在所述基板的氧化量从气体流上游侧至下游侧减小的条件下，使所述基板的表面氧化的工序的工序组，和

(c)对所述基板供给原料气体，在所述初期氧化层上形成膜的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成于所述基板的表面的氧化层的厚度从气体流上游侧至下游侧变厚的条件下进行(a)，

在形成于所述基板的表面的氧化层的厚度从气体流上游侧至下游侧变薄的条件下进行(b)。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在(a)中，通过不同的供给部对所述基板供给所述含氧气体和所述含氢气体，

在(b)中，通过同一供给部对所述基板供给所述含氧气体和所述含氢气体。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

在(a)中，使所述含氧气体和所述含氢气体在存在所述基板的空间中混合，

在(b)中，使所述含氧气体和所述含氢气体在所述同一供给部内混合。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在(a)中，由第一供给部供给所述含氧气体，由第二供给部供给所述含氢气体，

在(b)中，由所述第一供给部供给所述含氧气体和所述含氢气体。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成所述初期氧化层的工序中，依次进行(a)、(b)，

在(b)中，在不停止(a)中进行的从所述第一供给部供给所述含氧气体而持续供给的状态下，将所述含氢气体的供给部从所述第二供给部切换至所述第一供给部。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成所述初期氧化层的工序中，依次进行(b)、(a)，

在(a)中，在不停止(b)中进行的从所述第一供给部供给所述含氧气体而持续供给的状态下，将所述含氢气体的供给部从所述第一供给部切换至所述第二供给部。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在(a)中，由第一供给部供给所述含氧气体，由第二供给部供给所述含氢气体，

在(b)中，由所述第二供给部供给所述含氧气体和所述含氢气体。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成所述初期氧化层的工序中，依次进行(a)、(b)，

在(b)中，在不停止(a)中进行的从所述第二供给部供给所述含氢气体而持续供给的状态下，将所述含氧气体的供给部从所述第一供给部切换至所述第二供给部。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成所述初期氧化层的工序中，依次进行(b)、(a)，

在(a)中，在不停止(b)中进行的从所述第二供给部供给所述含氢气体而持续供给的状态下，将所述含氧气体的供给部从所述第二供给部切换至所述第一供给部。

11.如权利要求1～4任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成所述初期氧化层的工序中，在(a)和(b)之间不进行对存在所述基板的空间的吹扫，连续进行(a)和(b)。

12.如权利要求1～4任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在(a)和(b)中，在所述含氢气体的供给流量大于所述含氧气体的供给流量的条件下，使所述基板的表面氧化。