[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及静电屏蔽罩

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

处理容器，其在内部形成有对处理气体进行等离子体激励的处理室；

气体供给部，其向所述处理室供给处理气体；

线圈，其与所述处理容器的外周面分离地沿着所述外周面卷绕，并供给高频电力；以及

静电屏蔽罩，其形成于所述处理容器的外周面与所述线圈之间，且形成有分隔部和开口部，其中，该分隔部在所述线圈的周向上延伸，并对所述线圈的一部分与所述处理容器的外周面之间进行分隔，该开口部在所述线圈的周向上延伸，并在所述线圈的另一部分与所述处理容器的外周面之间开口。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在通过供给高频电力而施加于所述线圈的电压的驻波的振幅为最大的位置形成有所述分隔部，在通过供给高频电力而施加于所述线圈的电压的驻波的振幅为最小的位置形成有所述开口部。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述线圈的轴向上，在一对所述分隔部之间形成有所述开口部。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述线圈的轴向上交替地形成有所述分隔部和所述开口部，

在所有的通过供给高频电力而施加于所述线圈的电压的驻波的振幅为最小的位置形成有所述开口部。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

多个所述开口部中的在所述线圈的轴向上形成于中央侧的所述开口部在所述线圈的周向的整个区域上在所述线圈与所述处理容器的外周面之间开口。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述线圈的轴向上的所述开口部的开口宽度为所述线圈的一个节距以上。

7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述线圈的轴向上交替地形成有所述分隔部和所述开口部，

在所有的通过供给高频电力而施加于所述线圈的电压的驻波的振幅为最大的位置形成有所述分隔部，并且所有的所述分隔部独立地接地。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述线圈的轴向上分离地形成有一对所述分隔部，

相对于各所述分隔部在所述轴向的外侧，以在所述线圈的周向上延伸的方式分别形成有电接地的接地部，

一个所述分隔部经由导电性的一个连结部与一个所述接地部连结，

另一所述分隔部经由导电性的另一连结部与另一所述接地部连结。

9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述分隔部在所述线圈的周向的整个区域上对所述线圈与所述处理容器的外周面之间进行分隔。

10.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

处理容器，其在内部形成有对处理气体进行等离子体激励的处理室；

气体供给部，其向所述处理室供给处理气体；

线圈，其与所述处理容器的外周面分离地沿着所述外周面卷绕，并供给高频电力；以及

静电屏蔽罩，其限制在施加于所述线圈的电压的驻波的振幅为最大的位置作用于所述处理容器的外周面与所述线圈之间的电场的影响，并容许在施加于所述线圈的电压的驻波的振幅为最小的位置作用于所述处理容器的外周面与所述线圈之间的电场的影响。