[发明专利]铜陶瓷衬底

权利要求书

1.一种铜陶瓷衬底(1)，其包括

-陶瓷载体(2)，以及

-键合至陶瓷载体(2)的表面的至少一个铜层(3、4)，其具有

-用于形成导电结构和/或固定键合线的自由表面，其特征在于

-铜层(3、4)具有平均晶粒度直径为200μm至500μm，优选为300μm至400μm的微结构。

2.根据权利要求1所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有至少50MS/m，优选至少57MS/m，特别优选至少58MS/m的电导率。

3.根据权利要求1或2所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)的维氏硬度为40至100。

4.根据前述权利要求中任一项所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有至少99.95％的比例的Cu，优选至少99.99％的比例的Cu。

5.根据权利要求4所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有至多25ppm的比例的Ag。

6.根据权利要求4或5所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有至多10ppm的比例的O，优选至多5ppm的比例的O。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有分别至多为0ppm至1ppm的比例的Cd、Ce、Ge、V、Zn元素。

8.根据权利要求7所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有总计至少为0.5ppm且至多为5ppm的比例的Cd、Ce、Ge、V、Zn元素。

9.根据权利要求4至8中任一项所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有分别至多为0ppm至2ppm的比例的Bi、Se、Sn、Te元素。

10.根据权利要求9所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有总计至少为1.0ppm且至多为8ppm的比例的Bi、Se、Sn、Te元素。

11.根据权利要求4至10中任一项所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有分别至多为0ppm至3ppm的比例的Al、Sb、Ti、Zr元素。

12.根据权利要求11所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有总计至少为1.0ppm且至多为10ppm的比例的Al、Sb、Ti、Zr元素。

13.根据权利要求4至12中任一项所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有分别至多为0ppm至5ppm的比例的As、Co、In、Mn、Pb、Si元素。

14.根据权利要求13所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有总计至少为1.0ppm且至多为20ppm的比例的As、Co、In、Mn、Pb、Si元素。

15.根据权利要求4至14中任一项所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有分别至多为0ppm至10ppm的比例的B、Be、Cr、Fe、Mn、Ni、P、S元素。

16.根据权利要求15所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有总计为至少1.0ppm且至多为50ppm的比例的B、Be、Cr、Fe、Mn、Ni、P、S元素。

17.根据权利要求4至16中任一项所述的铜陶瓷衬底(1)，其特征在于，

-铜层(3、4)具有至多50ppm的比例的权利要求7至16中提及的元素，包括其他杂质。