[发明专利]发光装置、光波长转换装置以及显示装置

说明书

一种发光装置包括：阳极(610)；阴极(660)；多个发光层(420、602、430、603)，其夹在所述阳极和所述阴极之间；以及光吸收层(450、550)，其配置在从所述多个发光层到光取出面之间，所述多个发光层包括InP系量子点，并且至少发射绿光和红光，所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。

技术领域

本发明关于一种包括含有量子点的发光元件的发光装置。

背景技术

在使用无镉的InP系量子点(QD)作为发光层的发光装置(QLED)中，已知的现有技术是绿色、红色的发光光谱的半值宽度与镉系的半值宽度一样窄。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公开特许公报“特开2014-26785号公报”

非专利文献

非专利文献1：JaehoonLimet.al.HighlyEfficientCadmium-FreeQuantumDotLight-EmittingDiodesEnabledbytheDirectFormationofExcitonswithinInP@ZnSeSQuantumDots,ACSNano7(10)(2013)pp.9019-9026

发明内容

本发明所要解决的技术问题

但是，如图3所示，在非专利文献1中，尽管绿色、红色的发光光谱的半值宽度与镉系的半值宽度一样窄，但是存在以下问题，颜色再现域不够广，只能实现BT.2020比小于80％的颜色再现域。

本发明的一形态的目的在于，实现一种无镉、发光效率高、颜色再现域广的发光装置。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述问题，本发明的一形态的发光装置包括：阳极；阴极；多个发光层，其夹在所述阳极和所述阴极之间；以及光吸收层，其配置在从所述多个发光层到光取出面之间，所述多个发光层包括InP系量子点，并且至少发射绿光和红光，所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。

有益效果

根据上述构成，可以实现无镉、发光效率高且颜色再现域广的发光装置。

根据本发明的一形态，可以实现无镉、发光效率高且颜色再现域广的发光装置。

附图说明

图1是表示发光装置的制造方法的一个示例的流程图。

图2是表示发光装置的显示区域的构成示例的截面图。

图3是表示InP系QLED不同的电流密度中的标准化的EL发光光谱的图。

图4是表示本发明第一实施方式涉及的QLED装置的概略的图。

图5是表示QLED装置的发光强度的发光光谱的曲线图的图。

图6是示意性地表示第二实施方式涉及的QLED装置的截面图。

图7是示意性地表示第三实施方式涉及的QLED装置的截面图。

图8是示意性地表示第四实施方式涉及的QLED装置的截面图。

图9是示意性地表示第五实施方式涉及的QLED装置的截面图。

具体实施方式

在下文中，“同层”是指由相同的工艺(成膜工序)来形成的，“下层”是指与比较对象的层相比由先前工艺来形成的，“上层”是指与比较对象的层相比由之后工艺来形成的。