[发明专利]氧化物膜形成方法

权利要求书

1.氧化物膜形成方法，包括向在其上待形成氧化物膜的工件供给臭氧气体、不饱和烃气体和含有Si元素或金属元素的原料气体，所述Si元素或金属元素是所述氧化物膜的构成元素，由此通过化学气相沉积法在所述工件的表面上形成所述氧化物膜，

其中在所述氧化物膜的形成过程中，所述工件的温度为-10℃至200℃的范围，并且

其中所述臭氧气体的供给流速和所述不饱和烃气体的供给流速维持恒定，并且经时或定期改变所述原料气体的供给流速。

2.氧化物膜形成方法，包括向在其上待形成氧化物膜的工件供给臭氧气体、不饱和烃气体和含有Si元素或金属元素的原料气体，所述Si元素或金属元素是所述氧化物膜的构成元素，由此通过化学气相沉积法在所述工件的表面上形成所述氧化物膜，

其中在所述氧化物膜的形成过程中，所述工件的温度为-10℃至200℃的范围，并且

其中所述臭氧气体的供给流速和所述原料气体的供给流速维持恒定，并且经时或定期改变所述不饱和烃气体的供给流速。

3.氧化物膜形成方法，包括向在其上待形成氧化物膜的工件供给臭氧气体、不饱和烃气体和含有Si元素或金属元素的原料气体，所述Si元素或金属元素是所述氧化物膜的构成元素，由此通过化学气相沉积法在所述工件的表面上形成所述氧化物膜，

其中在所述氧化物膜的形成过程中，所述工件的温度为-10℃至200℃的范围，并且

其中所述不饱和烃气体的供给流速和所述原料气体的供给流速维持恒定，并且经时或定期改变所述臭氧气体的供给流速。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化物膜形成方法，

其中所述工件是由合成树脂制成的基板或膜，和

其中，在将所述臭氧气体和所述不饱和烃气体供给至所述工件之后，通过向所述工件供给所述臭氧气体、所述不饱和烃气体和所述原料气体从而在所述工件的表面上形成所述氧化物膜。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化物膜形成方法，

其中，在通过向所述工件供给所述臭氧气体、所述不饱和烃气体和所述原料气体从而在所述工件的表面上形成所述氧化物膜之后，将所述臭氧气体和所述不饱和烃气体供给至所述工件。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化物膜形成方法，

其中所述不饱和烃气体是乙烯气体。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化物膜形成方法，

其中，在所述工件上的所述氧化物膜的形成过程中，所述臭氧气体的供给流速等于或大于所述不饱和烃气体和所述原料气体的总供给流速的两倍。

8.氧化物膜形成方法，包括从喷头向在其上待形成氧化物膜的工件供给臭氧气体、不饱和烃气体和含有Si元素或金属元素的原料气体，所述Si元素或金属元素是所述氧化物膜的构成元素，由此通过化学气相沉积法在所述工件的表面上形成所述氧化物膜，

其中在远离所述工件并且与所述工件的表面相对的位置处设置喷头，

其中所述供给包括混合所述不饱和烃气体和所述原料气体从而提前制备混合气体，并然后从所述喷头的不同供给孔将所述混合气体和所述臭氧气体供给至所述工件，并且

其中在所述氧化物膜的形成过程中，所述工件的温度为-10℃至150℃的范围。

9.氧化物膜形成方法，包括从喷头向在其上待形成氧化物膜的工件供给臭氧气体、不饱和烃气体和含有Si元素或金属元素的原料气体，所述Si元素或金属元素是所述氧化物膜的构成元素，由此通过化学气相沉积法在所述工件的表面上形成所述氧化物膜，

其中在远离所述工件并且与所述工件的表面相对的位置处设置喷头，

其中在所述氧化物膜的形成过程中，所述工件的温度为-10℃至200℃的范围，以及

其中所述供给包括混合所述臭氧气体和所述原料气体从而提前制备混合气体，并然后从所述喷头的不同供给孔将所述混合气体和所述不饱和烃气体供给至所述工件。

10.根据权利要求1至3、8和9中任一项所述的氧化物膜形成方法，

其中，在所述工件上的所述氧化物膜的形成过程中，所述臭氧气体的供给流速为0.2sccm或更高。