[发明专利]掺硼p型硅晶片的蚀刻方法、金属污染评价方法及制造方法

权利要求书

1.一种掺硼p型硅晶片的蚀刻方法，包括：

通过将含臭氧的气体及氢氟酸雾引入腔室内进行混合，来调制蚀刻气体；以及

通过使电阻率为0.016Ωcm以下的掺硼p型硅晶片的表面与所述蚀刻气体接触，来将所述掺硼p型硅晶片的表层区域气相分解；

且还包括：

以3000sccm以上的流量将所述含臭氧的气体引入所述腔室内；以及

通过雾化氟化氢浓度为41质量％以上的氢氟酸来调制所述氢氟酸雾。

2.根据权利要求1所述的掺硼p型硅晶片的蚀刻方法，其中，所述含臭氧的气体的臭氧浓度在0.5～3.5质量％的范围。

3.根据权利要求1或2所述的掺硼p型硅晶片的蚀刻方法，其中包括：通过以700sccm以上1300sccm以下的流量的载气雾化所述氢氟酸，来调制所述氢氟酸雾。

4.根据权利要求3所述的掺硼p型硅晶片的蚀刻方法，其中包括：将所述载气引入与引入所述含臭氧的气体及所述氢氟酸雾的所述腔室不同的腔室，并在所述不同的腔室内进行所述气相分解。

5.一种掺硼p型硅晶片的金属污染评价方法，其中，

评价对象的掺硼p型硅晶片的电阻率为0.016Ωcm以下，

所述金属污染评价方法包括：

通过根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻方法蚀刻所述掺硼p型硅晶片；

使回收液在所述蚀刻后的掺硼p型硅晶片的表面上扫掠；

将所述扫掠过的回收液从所述掺硼p型硅晶片的表面回收；以及

分析所述回收液中的金属成分。

6.一种掺硼p型硅晶片的制造方法，包括：

在掺硼p型硅晶片的制造工序中，制造电阻率为0.016Ωcm以下的工序评价用掺硼p型硅晶片；

通过根据权利要求5所述的金属污染评价方法评价所述工序评价用掺硼p型硅晶片的金属污染的有无、程度、或有无及程度；以及

基于所述评价的结果判定所述制造工序的工序管理的必要性，在判定为需要工序管理的情况下则在实施工序管理之后，在判定为不需要工序管理的情况下则不经工序管理，而进行用于作为制品出货的掺硼p型硅晶片的制造。