[发明专利]发光元件及发光器件有效

专利信息
申请号: 201880091627.9 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN111902957B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 榊原裕介;木本贤治;两轮达也 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H10K50/15 分类号: H10K50/15;H10K50/16;H10K59/12;H05B33/02;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/14
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 叶乙梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 器件
【说明书】:

维持发光元件的发光效率。以使该发光元件的结构简单化为目的,本发明提供一种发光元件(2),该发光元件包括阴极(4)、阳极(12)、在阴极和阳极之间的发光层(8)、在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层(6)以及在所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层,针对所述发光层的每一个发光波长设置多个子像素(RP,GP,BP),针对每一个子像素设置所述发光层和所述电子传输层,针对至少多个所述子像素共通设置所述空穴传输层。

技术领域

本发明涉及一种包括量子点的发光元件、包括该发光元件的发光装置、发光元件的制造方法以及发光元件的制造设备。

背景技术

专利文献1公开了包括多个像素的有机电致发光图像装置。在专利文献1中,每个像素包括发光元件,该发光元件包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。此外,专利文献1记载了如下构成,针对每一个子像素形成有不同的发光层,同样地,针对每一个子像素形成有空穴传输层和电子传输层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本国公开专利公报“2010-244885号公报(2010年10月28日公开)”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

如果针对每一个子像素形成空穴传输层和电子传输层,则存在以下问题:发光元件的结构复杂化,并且该发光元件的制造工序也复杂化以及长时间化。但是,如果在所有的子像素中共通形成空穴传输层和电子传输层,则存在以下问题:根据子像素的类型,来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发光层中的重组的效率降低。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述问题,本发明的发光元件包括阴极、阳极、在阴极和阳极之间的发光层、在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层以及在所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层,针对所述发光层的每个发光波长设置多个子像素,针对每一个子像素设置所述发光层和所述电子传输层,针对至少多个所述子像素共通设置所述空穴传输层。

此外,为了解决上述问题,本发明的发光元件的制造方法中,所述发光元件包括阴极、阳极、在阴极和阳极之间的发光层、在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层以及在所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层,所述制造方法包括:针对每个所述子像素形成所述发光层的发光层形成工序;针对每个所述子像素形成所述电子传输层的电子传输层形成工序;以及针对至少多个所述子像素共通形成所述空穴传输层的空穴传输层形成工序。

此外,为了解决上述问题,本发明的发光元件的制造设备,所述发光元件包括阴极、阳极、在阴极和阳极之间的发光层、在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层以及在所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层,所述发光元件的制造设备包括成膜装置,所述成膜装置用于针对每个所述子像素形成所述发光层和所述电子传输层,并且针对至少多个所述子像素共通形成所述空穴传输层。

有益效果

根据上述构成,可以提供一种在维持空穴从阳极到发光层的传输效率以及电子从阴极到发光层的效率的同时,维持发光效率,且使结构简单化的发光元件。

附图说明

图1是本发明第一实施方式的发光器件的概略俯视图以及概略截面图。

图2是针对每一个子像素示出本发明第一实施方式的发光元件的、各层的费米能级或电子亲和力和电离电势的示例的能量图。

图3是本发明第一实施方式的发光层所包含的量子点的概略截面图。

图4是说明本发明第一实施方式的发光器件的制造方法的流程图。

图5是本发明第二实施方式的发光器件的概略俯视图和概略截面图。

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