[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基板，其由碳化硅构成；

第一导电型的漂移层，其被设置在所述半导体基板的一个主面上；

第二导电型的阱区，其被设置在所述漂移层上；

所述第二导电型的高浓度区域，其被设置在所述阱区，并且掺杂物浓度比所述阱区更高；

所述第一导电型的源极区域，其与所述高浓度区域相邻设置；

绝缘膜，其被设置在所述漂移层上；

第一接触金属膜，其经由设置在所述绝缘膜上的第一开口部来与所述源极区域及所述高浓度区域相接触；

第二接触金属膜，其被形成于所述第一接触金属膜的表面，并且经由设置在所述第一接触金属膜上的第二开口部来与所述高浓度区域相接触；以及

源电极膜，其被形成于包含所述第一接触金属膜、所述第二接触金属膜的接触金属层的表面，

其中，所述第一接触金属膜包含氮化钛，

所述第二接触金属膜包含钛。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第二接触金属膜包含：在与所述高浓度区域之间的接触面上设置的硅化镍。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述硅化镍为颗粒状。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

硅化镍层，其经由设置在所述第二接触金属膜上的第三开口部而与所述高浓度区域相接触。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述源电极膜由包含铝和硅的合金、包含铝和铜的合金或铝所形成。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

漂移层形成工序，在由碳化硅所构成的半导体基板的一个主面上形成第一导电型的漂移层；

阱区形成工序，在所述漂移层上形成露出于所述漂移层的表面的且是与所述第一导电型相反的第二导电型的阱区；

高浓度区域形成工序，在所述漂移层的所述阱区上形成露出于所述漂移层的表面的且掺杂物浓度更高于所述阱区的所述第二导电型的高浓度区域；

源极区域形成工序，在所述漂移层的所述阱区上形成露出于所述漂移层的表面的且邻接于所述高浓度区域的所述第一导电型的源极区域；

绝缘膜形成工序，在所述漂移层的表面形成具有第一开口部的绝缘膜，所述第一开口部在从所述半导体基板的所述一个主面的一侧进行平面观看时，露出所述高浓度区域、所述源极区域的至少一部分；

第一接触金属膜形成工序，按照在所述第一开口部中接触于所述源极区域的至少一部分的方式来形成具有露出所述高浓度区域的一部分的第二开口部的第一接触金属膜；

第二接触金属膜形成工序，按照在所述第二开口部中与所述高浓度区域相接触的方式将第二接触金属膜形成在所述第一接触金属膜的表面；以及

源电极膜形成工序，在包含所述第一接触金属膜与所述第二接触金属膜的接触金属层的表面形成源电极膜，

其中，所述第一接触金属膜包含氮化钛，

所述第二接触金属膜包含钛。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第二接触金属膜包含：在与所述高浓度区域之间的接触面上设置的硅化镍。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述硅化镍为颗粒状。

9.根据权利要求6至8中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，进一步包括：

硅化镍层形成工序，设置：经由设置在所述第二接触金属膜上的第三开口部来与所述高浓度区域相接触的硅化镍层。

10.根据权利要求6至9中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述源电极膜形成工序中，使用包含铝和硅的合金、包含铝和铜的合金或铝来形成所述源电极膜。