[发明专利]垂直磁记录介质有效

专利信息
申请号: 201880091890.8 申请日: 2018-09-21
公开(公告)号: CN111971745B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 增田爱美;清水正义 申请(专利权)人: JX金属株式会社
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/65;G11B5/84
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 吕琳;朴秀玉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 垂直 记录 介质
【说明书】:

本发明的垂直磁记录介质具有颗粒层(2)和盖层(3)作为构成记录层(1)的至少一部分的层,所述颗粒层(2)包含金属氧化物作为非磁性体且磁性体分散于所述非磁性体,所述盖层(3)形成于所述颗粒层(2)上且不包含金属氧化物,所述盖层(3)的正下方的颗粒层的与盖层的边界部分的氧化物相含有选自由Zn、W、Mn、Fe以及Mo构成的组中的至少一种。

技术领域

本发明涉及一种垂直磁记录介质,其具有颗粒层(granular layer)和盖层(caplayer)作为构成记录层的至少一部分的层,所述颗粒层在包含金属氧化物的非磁性体中分散有磁性体,所述盖层形成于颗粒层上且不包含金属氧化物,特别是,提出一种能有助于改善高密度记录所需要的开关场分布(SFD)的技术。

背景技术

在硬盘驱动器中,在垂直于记录面的方向记录磁的垂直磁记录方式被实用化,与以前的面内磁记录方式相比,该方式能实现高密度的记录,因此被广泛采用。

垂直磁记录介质一般构成为在铝、玻璃等基板上依次层叠软磁性层、中间层、记录层等。其中,就记录层而言,在下部存在颗粒层,所述颗粒层在以Co为主要成分的Co-Pt系合金等的磁性体中分散有SiO2等金属氧化物的非磁性体。由此,在该记录层中,作为非磁性体的上述的金属氧化物向在垂直方向取向的Co合金等的磁性体的磁性粒子的晶界析出,磁性粒子间的磁性相互作用降低,由此产生的噪声特性提高并实现高记录密度。作为与此相关的技术,存在专利文献1所记载的技术等。

需要说明的是,例如,如专利文献2所记载的那样,这样的磁记录介质的各层通常使用具有与该层对应的规定组成的溅射靶,通过利用磁控溅射装置进行溅射而形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利第4021435号公报

专利文献2:日本专利第5960287号公报

发明内容

发明所要解决的问题

就如上所述的垂直磁记录介质的记录层而言,通常记录层除了颗粒层以外,还具有盖层,所述盖层形成于颗粒层上、不包含金属氧化物、主要由磁性体构成。据此,利用磁性粒子因金属氧化物而被磁性分离的颗粒层的粒子分离性而实现低噪声化,并且通过由于不存在金属氧化物而残留了磁性粒子间的相互作用的盖层,对颗粒层赋予适度的磁性粒子间的相互作用,会确保介质的写入容易性、SFD降低、热稳定性等。

再者,为了形成这样的垂直磁记录介质的记录层,当在颗粒层上通过溅射等成膜盖层时,由于颗粒层中的金属氧化物与盖层的金属之间的润湿性的不同,盖层的薄膜在颗粒层的不存在金属氧化物的部分选择性地生长。由此,盖层的薄膜的初期生长仿照包含金属氧化物的颗粒层的形态而变得不均匀,因此,存在以下问题:即使形成规定厚度的盖层,也未改善开关场分布(SFD:switching field distribution)。另一方面,若形成厚的盖层,则虽然SFD得以改善,但磁头与介质中心的距离变大,分辨率降低,此外,磁性粒子间的交换耦合因厚的盖层而变大,磁团簇尺寸增大,无法提高记录密度。

本发明的课题在于解决以往的垂直磁记录介质所具有的这样的问题,其目的在于,提供一种盖层均匀地层叠于记录层的颗粒层上,由此能高效地改善开关场分布(SFD)的垂直磁记录介质。

用于解决问题的方案

发明人进行了深入研究,结果发现了以下事实,即,通过在记录层中的位于盖层的正下方的颗粒层的与盖层的边界部分包含规定的金属的氧化物,基于该金属的氧化物与含有许多Co等的盖层的良好的润湿性,盖层从其生长初期起与颗粒层的磁性体部分上同样地也层叠于颗粒层的非磁性体部分上,其结果是,在颗粒层上形成有均匀的盖层。此外,从有效地分离磁性粒子的方面考虑,在规定的金属的氧化物用作颗粒层的边界部分的金属氧化物的情况下,能实现颗粒层中的磁性粒子所需要的磁分离性。

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