[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体元件；

元件用导体，其在上部具有搭载所述半导体元件的元件搭载面；

连接用导体，其与所述元件用导体分离配置，在上部具有连接面；

连接线，其连接所述半导体元件与所述连接用导体的所述连接面；以及

密封树脂，其密封所述半导体元件、所述元件用导体、所述连接用导体和所述连接线，

在对置配置的所述元件用导体和所述连接用导体中的至少一方导体的对置侧面上设置有寄生电容降低结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述寄生电容降低结构设置在所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方的上部侧。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述寄生电容降低结构从所述上部侧到所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方的下表面设置成柱状。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述寄生电容降低结构是在最接近另一方的导体侧的最接近的第一位置确定的对置面间距离为最小且与第一位置不同的第二位置的对置面间距离为比其大的尺寸的对置面。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

具有所述寄生电容降低结构的对置面是平面或曲面。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述寄生电容降低结构是所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方在俯视下为多边形状的结构，

具有所述多边形状的导体具有最接近另一方的导体侧的最接近的第一对置面和除此以外的第二对置面，由所述第二对置面确定的对置面间距离为比由所述第一对置面确定的对置面间距离大的尺寸。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述寄生电容降低结构是所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方在俯视下具有圆弧形状的结构，

具有所述圆弧形状的导体具有最接近另一方的导体侧且最小对置面间距离确定的最接近的第一对置面和所述第一对置面以外的第二对置面，所述第二对置面的对置面间距离为比所述最小对置面间距离大的尺寸。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，

所述寄生电容降低结构包含在所述第一对置面和所述第二对置面上连续状地形成的凹凸。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述元件用导体的所述元件搭载面的面积形成为俯视时比所述半导体元件的面积小，所述半导体元件的外周侧面配置在所述元件搭载面的外周侧面的外侧。

10.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体元件；

元件用导体，其在上部具有搭载所述半导体元件的元件搭载面；

连接用导体，其与所述元件用导体分离配置，在上部具有连接面；

连接线，其连接所述半导体元件与所述连接用导体的所述连接面连接；

密封树脂，其密封所述半导体元件、所述元件用导体、所述连接用导体和所述连接线；以及

寄生电容降低结构，其设置在对置配置的所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方导体的与另一方导体对置的对置侧面上，

在所述寄生电容降低结构中，所述一方导体的对置侧面与所述另一方导体的对置侧面的对置面间距离最小的第一位置处的面积形成为比所述一方导体的所述对置侧面的面积整体小。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述一方导体的所述第一位置处的面积形成得比与所述第一位置不同的第二位置处的对置侧面整体的面积小。