[发明专利]场效应型晶体管

权利要求书

1.一种场效应型晶体管，其具有在电子供给层的表面之上形成的栅极电极、源极电极、漏极电极，

该场效应型晶体管的特征在于，具有：

绝缘膜，其包覆所述电子供给层；以及

所述绝缘膜的开口部，其形成于该绝缘膜中的形成所述栅极电极的区域，具有通过一个面而与所述电子供给层接触的梯形四棱柱状轮廓面，

所述栅极电极在通过所述开口部将所述电子供给层露出的区域与该电子供给层进行肖特基接合，

并且，所述开口部的梯形四棱柱状轮廓面的剖面形状相对于所述电子供给层的表面的倾斜角度设定在25度至75度的范围。

2.根据权利要求1所述的场效应型晶体管，其特征在于，

所述绝缘膜具有压缩应力，并且通过所述开口部的梯形四棱柱状轮廓面及与接触于所述电子供给层的面相反的表面而与所述栅极电极接触。

3.根据权利要求1所述的场效应型晶体管，其特征在于，

所述绝缘膜具有第1绝缘膜和第2绝缘膜，并且通过所述开口部的梯形四棱柱状轮廓面及与接触于所述电子供给层的面相反的表面而与所述栅极电极接触，该第1绝缘膜具有压缩应力、形成于所述电子供给层的表面，该第2绝缘膜具有拉伸应力或具有比所述第1绝缘膜小的压缩应力、形成于该第1绝缘膜的表面。

4.根据权利要求1所述的场效应型晶体管，其特征在于，

所述绝缘膜具有第1绝缘膜和第2绝缘膜，并且通过所述开口部的梯形四棱柱状轮廓面及与接触于所述电子供给层的面相反的表面而与所述栅极电极接触，该第1绝缘膜具有拉伸应力、形成于半导体表面层的表面，该第2绝缘膜具有压缩应力或具有比第1绝缘膜小的拉伸应力、形成于第1绝缘膜的之上。

5.根据权利要求2所述的场效应型晶体管，其特征在于，

所述绝缘膜的压缩应力设定于-3GPa至-0.5GPa的范围。

6.根据权利要求3所述的场效应型晶体管，其特征在于，

所述第1绝缘膜的压缩应力设定于-3GPa至-0.5GPa的范围。

7.根据权利要求4所述的场效应型晶体管，其特征在于，

所述第2绝缘膜的应力设定于-3GPa至-0.5GPa的范围。

8.一种场效应型晶体管，其具有在电子供给层的表面之上形成的栅极电极、源极电极、漏极电极，

该场效应型晶体管的特征在于，具有：

绝缘膜，其包覆所述电子供给层；以及

所述绝缘膜的开口部，其设置于形成所述栅极电极的区域，

所述栅极电极与通过所述开口部将所述电子供给层露出的区域和包含所述开口部的绝缘膜的表面进行肖特基接合，

并且，所述开口部的轮廓面的剖面形状相对于所述电子供给层的表面的倾斜度设定为90度、或相对于所述电子供给层的表面的倾斜角度设定为75度至小于或等于90度。

9.根据权利要求8所述的场效应型晶体管，其特征在于，

所述绝缘膜具有拉伸应力，并且通过所述开口部的长方体状轮廓面或梯形四棱柱状轮廓面、及与接触于所述电子供给层的面相反的表面而与所述栅极电极接触。

10.根据权利要求9所述的场效应型晶体管，其特征在于，

所述绝缘膜的拉伸应力设定于0.5GPa至3GPa的范围。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的场效应型晶体管，其特征在于，

所述绝缘膜为氮化硅膜。