[发明专利]半导体光集成元件有效
| 申请号： | 201880092469.9 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111989832B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 松本启资;石村荣太郎;加治屋哲;西川智志 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01L27/15;H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成 元件 | ||
1.一种半导体光集成元件，其具有半导体放大器、多个半导体激光器、光合波器，
该半导体光集成元件将均以空穴从p侧包层注入至有源层、电子从n侧包层注入至有源层的方式构成的所述半导体放大器和所述多个半导体激光器单片集成于同一半导体基板的一个面，
该半导体光集成元件的特征在于，
所述半导体基板为导电性的半导体基板，所述半导体放大器的n侧包层和所述多个半导体激光器各自的n侧包层通过第一电绝缘层及第二电绝缘层被电绝缘，该第一电绝缘层形成于所述半导体基板和所述多个半导体激光器各自的n侧包层之间，该第二电绝缘层形成于所述半导体放大器的n侧包层和所述多个半导体激光器各自的n侧包层之间，并且用于与所述多个半导体激光器各自的n侧包层电连接的n侧接触层设置于所述多个半导体激光器各自的n侧包层和所述第一电绝缘层之间，
构成为所述n侧接触层和所述半导体放大器的所述p侧包层被电连接，所述半导体放大器和所述多个半导体激光器各自的半导体激光器电气地串联连接，
在所述半导体放大器和所述多个半导体激光器之间，设置有将所述多个半导体激光器的输出合成而输入至所述半导体放大器的所述光合波器。
2.根据权利要求1所述的半导体光集成元件，其特征在于，
具有直流的负侧与所述半导体基板的另一个面连接的n侧接触电极，
分别具有直流的正侧与所述多个半导体激光器各自的p侧包层连接的p侧接触电极。
3.根据权利要求1或2所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述n侧接触层从所述多个半导体激光器中的一个半导体激光器的n侧包层向侧方伸出。
4.一种半导体光集成元件，其具有半导体放大器、多个半导体激光器、光合波器，
该半导体光集成元件将均以空穴从p侧包层注入至有源层、电子从n侧包层注入至有源层的方式构成的所述半导体放大器和所述多个半导体激光器单片集成于同一半导体基板的一个面，
该半导体光集成元件的特征在于，
在所述半导体放大器的n侧包层和所述多个半导体激光器各自的n侧包层之间形成电绝缘层，并且所述半导体基板为半绝缘性的半导体基板，由此所述半导体放大器的n侧包层和所述多个半导体激光器各自的n侧包层被电绝缘，用于与所述多个半导体激光器各自的n侧包层电连接的n侧接触层设置于所述多个半导体激光器各自的n侧包层和所述半导体基板之间，
构成为所述n侧接触层和所述半导体放大器的p侧包层被电连接，所述半导体放大器和所述多个半导体激光器各自的半导体激光器电气地串联连接，
在所述半导体放大器和所述多个半导体激光器之间，设置有将所述多个半导体激光器的输出合成而输入至所述半导体放大器的所述光合波器。
5.根据权利要求4所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述n侧接触层从所述多个半导体激光器中的一个半导体激光器的n侧包层向侧方伸出。
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