[发明专利]谐振子以及谐振装置在审
申请号: | 201880092625.1 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN112204880A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 河合良太;西村俊雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/24 | 分类号: | H03H9/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;王海奇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐振子 以及 谐振 装置 | ||
本发明提供谐振子(10),具备:振动部(120),具备:具有主面的基板(F2)、形成在基板(F2)的主面上的下部电极(E1)、形成在下部电极(E1)上的压电膜(F3)、以及形成在压电膜(F3)上的上部电极(E2);以及保持部(140),设置为包围振动部(120)的至少一部分。在振动部(120)的周围设置有开口槽,该开口槽在俯视基板(F2)的主面时的第一方向具有不同的宽度。在俯视基板(F2)的主面时,上部电极(E2)形成为从基板(F2)的外边缘隔开沿着第一方向的间隙设置,并且开口槽的宽度较大的区域的间隙的长度比开口槽的宽度较小的区域的间隙的长度大。
技术领域
本发明涉及谐振子以及谐振装置。
背景技术
作为用于在电子设备中实现计时功能的器件,能够使用压电振子等谐振子。随着电子设备的小型化,谐振子也要求小型化,使用MEMS(Micro Electro MechanicalSystems:微机电系统)技术制造的谐振子(以下,也称为“MEMS振子”。)被受到关注。
例如,在专利文献1公开了在Si(硅)基板上依次形成了下部电极、压电膜、以及上部电极的具有三个振动臂的谐振子。
专利文献1:日本专利第5552878号
在谐振子中,在形成振动臂时,通常在Si基板上形成电极、压电膜之后通过蚀刻等进行图案化(分离)。此时,分离宽度(即通过蚀刻除去的宽度)越宽蚀刻速度越快。蚀刻速度不仅对厚度方向给予影响也对水平方向的蚀刻量给予影响。
另外,专利文献1所记载的那样的以往的谐振子的振动臂的外边缘与电极的外边缘之间的宽度不管分离宽度而恒定。该情况下,在分离宽度较宽的位置与较窄的位置相比较多地蚀刻压电膜,所以有电极彼此短路的可能。
另外即使在构成为利用保护膜覆盖上部电极的情况下,在分离宽度较宽的位置也同样地较多地除去保护膜,所以上部电极露出。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而完成的,目的在于在谐振子中,防止蚀刻所引起的电极的短路。
本发明的一侧面的谐振子具备:振动部,具备:具有主面的基板、形成在基板的主面上的下部电极、形成在下部电极上的压电膜、以及形成在压电膜上的上部电极;以及保持部,被设置为包围振动部的至少一部分,在振动部的周围设置有开口槽,该开口槽在俯视基板的主面时的第一方向具有不同的宽度,在俯视基板的主面时,上部电极形成为从基板的外边缘隔开沿着第一方向的间隙设置,并且开口槽的宽度较大的区域的间隙的长度比开口槽的宽度较小的区域的间隙的长度大。
根据本发明,在谐振子中,能够防止蚀刻所引起的电极的短路。
附图说明
图1是示意地表示本发明的第一实施方式的谐振装置的外观的立体图。
图2是示意地表示本发明的第一实施方式的谐振装置的结构的分解立体图。
图3是沿着图2的AA’线的谐振装置的剖视图。
图4是取下了上盖的本发明的第一实施方式的谐振子的俯视图。
图5是振动臂的剖面的照片。
图6是表示分离宽度与蚀刻量的关系的图表。
图7是沿着图4的DD’线的多个振动臂的剖视图。
图8A是表示本发明的第一实施方式的谐振装置的工艺流程的一个例子的图。
图8B是表示本发明的第一实施方式的谐振装置的工艺流程的一个例子的图。
图8C是表示本发明的第一实施方式的谐振装置的工艺流程的一个例子的图。
图9是本发明的第二实施方式的谐振子的俯视图。
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