[发明专利]具有包括耐高电压晶体管的低电压监视电路的流体管芯

说明书

一种流体管芯，包括流体腔室，每个流体腔室包括暴露于流体腔室内部的电极，并且每个流体腔室具有在第一电压电平下操作的对应流体致动器。在低于第一电压电平的第二电压电平下操作的监视电路包括用于每个流体腔室的选择晶体管和下拉晶体管，以选择性地耦合到电极，至少选择晶体管是耐高电压晶体管，以在正常操作状况下在第二电压下操作，并且具有大于第一电压电平的击穿电压电平，以便在流体致动器短路到电极的情况下防止故障电流在故障状况下从电极流入选择晶体管。

背景技术

流体管芯可以包括喷嘴和/或泵的阵列，每个喷嘴和/或泵包括流体腔室和流体致动器，其中流体致动器可以被致动以引起腔室内的流体的位移。一些示例性流体管芯可以是打印头，其中流体可以对应于墨水。

附图说明

图1是示出根据一个示例的包括监视电路的流体管芯的框图和示意图；

图2是示出根据一个示例的包括监视电路的流体管芯的框图和示意图；

图3是根据一个示例的示意图，其示出了器件的平面图和流体管芯的线路布局；

图4是示出根据一个示例的包括耐高电压漏极扩展MOSFET的流体管芯的线路布局和器件的横截面视图的示意图；

图5是一般地示出根据一个示例的低电压MOSFET的示意图；

图6是示出根据一个示例的包括监视电路的流体管芯的框图和示意图；

图7是示出根据一个示例的包括耐高电压SGLDMOSFET的流体管芯的线路布局和器件的横截面视图的示意图；

图8是示出根据一个示例的高电压漏极扩展MOSFET的模拟低电压转移特性的曲线图；

图9是示出根据一个示例的高电压漏极扩展MOSFET的模拟低电压输出特性的曲线图；

图10是示出根据一个示例的高电压漏极扩展MOSFET的模拟高电压Ioff特性的曲线图。

贯穿附图，相同的附图标记表示相似的但不必相同的元素。附图不一定按比例，并且一些部件的尺寸可能被放大以更清楚地示出所示的示例。此外，附图提供了与说明书一致的示例和/或实现方式；然而，本说明书并不局限于附图中提供的示例和/或实现方式。

具体实施方式

在以下详细描述中，参考形成其一部分的附图，并且在附图中通过图示的方式示出了可以实践本公开的具体示例。应当理解，在不脱离本公开范围的情况下，可以利用其他示例并且可以进行结构或逻辑上的改变。因此，以下详细描述不应被理解为限制性的，并且本公开的范围由所附权利要求来限定。应当理解，除非另外特别指出，否则本文所述的各种示例的特征可以部分或整体地彼此组合。

流体管芯的示例可以包括流体致动器。流体致动器可以包括基于热电阻器的致动器、基于压电膜的致动器、静电膜致动器、机械/冲击驱动的膜致动器、磁致伸缩驱动致动器、或者可以响应于电致动而使流体位移的其他合适的设备。本文所述的流体管芯可包括多个流体致动器，其可被称为流体致动器阵列。如本文所使用的致动事件或发射事件可以指流体管芯的流体致动器的单个或同时致动以使流体位移。

在示例性流体管芯中，流体致动器阵列可以布置在流体致动器的组中，其中，每个这样的流体致动器的组可以被称为“基元”或“发射基元”。基元中的流体致动器的数量可以被称为基元的尺寸。基元的流体致动器组通常具有一组致动地址，每个流体致动器对应于该组致动地址中的不同致动地址。在一些示例中，流体管芯的电气和流体约束可限制每一基元的哪些流体致动器可针对给定致动事件而同时致动。基元便于对可针对给定致动事件而同时致动的流体致动器子组进行寻址和后续致动，以满足这样的约束。