[发明专利]溅射靶以及溅射靶的制造方法

说明书

本发明提供一种能够减少颗粒的产生，能够使磁性薄膜的成膜工序中的制造成品率提高的溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其具有Fe－Pt系合金相和非磁性相，以原子数比率计含有1～50at％的C，在XRD测定中具有源自金刚石的衍射峰。

技术领域

本发明涉及一种溅射靶以及溅射靶的制造方法。

背景技术

作为对于磁记录介质的垂直磁记录的记录层而言具有高磁各向异性且耐蚀性、耐氧化性高的材料，Fe－Pt系合金或Co－Pt系合金备受瞩目。已知一种溅射靶，在将Fe－Pt系合金或Co－Pt系合金用作超高密度记录介质用材料的情况下，需要使规整化的Fe－Pt磁性粒子或Co－Pt粒子在磁隔离的状态下以尽可能高密度的方式取向一致地进行分散，作为非磁性相含有碳(C)。

例如，在国际公开第2012/133166号(专利文献1)中记载了下述Fe－Pt系磁记录膜用溅射靶的例子：准备Fe粉末、Pt粉末以及作为C粒子的炭黑，对它们进行称量，然后进行混合/粉碎、热压、热等静压制而制作烧结体，由此得到含有C的Fe－Pt系磁记录膜用溅射靶。

在国际公开第2014/132746号(专利文献2)中记载了下述FePt－C系溅射靶的例子，一种FePt－C系溅射靶，其含有Fe、Pt以及C，具有下述结构：在FePt系合金相中，含有不可避免的杂质的一次粒子的C以彼此不相互接触的方式分散。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2012/133166号

专利文献2：国际公开第2014/132746号

发明内容

发明所要解决的问题

但是，当溅射采用碳(C)的磁性材料靶时，以C粒子为起因的颗粒会大量产生，由此有时磁性薄膜的成膜工序的成品率会恶化。对于专利文献1以及专利文献2所记载的技术方案，均在为了抑制颗粒的产生的对策中得到了一定的效果，但仍不能说是充分的。

鉴于上述问题，本实施方式提供一种能够减少颗粒的产生，能够使磁性薄膜的成膜工序中的制造成品率提高的溅射靶及其制造方法。

用于解决问题的方案

对于本发明的实施方式的溅射靶，在一个方案中，是具有Fe－Pt系合金相和非磁性相的溅射靶，以原子数比率计含有1～50at％的C，在XRD测定中具有源自金刚石的衍射峰。

对于本发明的实施方式的溅射靶，在另一个方案中，是包括Co－Pt系合金相和非磁性相的溅射靶，以原子数比率计含有1～50at％的C，在XRD测定中具有源自金刚石的衍射峰。

对于本发明的实施方式的溅射靶的制造方法，在一个方案中，包括下述工序：将含有10～45at％的Pt且剩余部分由Fe和不可避免的杂质构成的Fe－Pt系合金粉末与金刚石粉末混合，制作以原子数比率计含有1～50at％的C的混合粉末，在真空气氛下或惰性气体气氛下以混合粉末中的金刚石不相变为石墨的烧结温度进行烧结，制作烧结体。

对于本发明的实施方式的溅射靶的制造方法，在另一个方案中，包括下述工序：将含有10～45at％的Pt且剩余部分由Co和不可避免的杂质构成的Co－Pt系合金粉末与金刚石粉末混合，制作以原子数比率计含有1～50at％的C的混合粉末，在真空气氛下或惰性气体气氛下以混合粉末中的金刚石不相变为石墨的烧结温度进行烧结，制作烧结体。

发明效果

根据本实施方式，能够提供一种能够减少颗粒的产生，能够使磁性薄膜的成膜工序中的制造成品率提高的溅射靶及其制造方法。

附图说明

图1是表示实施例1的XRD测定结果的图表。