[发明专利]清洗半导体硅片的装置及方法

权利要求书

1.一种清洗半导体硅片的方法，其特征在于，包括以下步骤：

将一片或多片硅片依次输送到至少一个第一槽内及一个或多个第二槽内以执行槽式清洗工艺，所述第一槽内盛有化学液，第二槽内盛有清洗液；

从一个或多个第二槽内的清洗液中取出该一片或多片硅片，并将该一片或多片硅片传输至一个或多个单片清洗模组内以执行单片硅片的清洗及干燥工艺；

其中，从该一片或多片硅片从所述至少一个第一槽内的化学液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片浸入所述一个或多个第二槽内的清洗液中，和/或从该一片或多片硅片从所述一个或多个第二槽内的清洗液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片传输到一个或多个单片清洗模组中，在该一片或多片硅片上控制并保持一定厚度的液膜。

2.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，所述一片或多片硅片上液膜的厚度由液膜中最大颗粒的直径、传输该一片或多片硅片的机械手的传输加速度及该一片或多片硅片上由液体表面张力保持的液膜最大厚度决定。

3.根据权利要求2所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，所述一片或多片硅片上液膜的厚度不小于液膜中最大颗粒的直径。

4.根据权利要求2所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，控制机械手的传输加速度，使该一片或多片硅片上的液膜厚度不大于由液体表面张力保持的液膜最大厚度。

5.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，进一步包括：

从该一片或多片硅片从所述至少一个第一槽内的化学液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片浸入所述一个或多个第二槽内的清洗液中，向该一片或多片硅片喷射清洗液；

从该一片或多片硅片从所述一个或多个第二槽内的清洗液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片传输到一个或多个单片清洗模组中，向该一片或多片硅片喷射液体。

6.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，进一步包括：

从该一片或多片硅片从所述至少一个第一槽内的化学液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片浸入一个或多个第二槽内的清洗液中，向该一片或多片硅片喷射液体；

从所述一个或多个第二槽内的清洗液中取出该一片或多片硅片并将其从竖直面旋转至水平面，然后将该一片或多片硅片水平传输至一个或多个单片清洗模组。

7.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，进一步包括：

从所述至少一个第一槽内的化学液中取出一片或多片硅片并将其从竖直面旋转至水平面；

将一片或多片硅片水平传输至一个或多个第二槽；

将一片或多片硅片从水平面旋转至竖直面并放入所述一个或多个第二槽内的清洗液中；

从该一片或多片硅片从所述一个或多个第二槽内的清洗液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片传输到一个或多个单片清洗模组中，向该一片或多片硅片喷射液体。

8.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，进一步包括：

从所述至少一个第一槽内的化学液中取出一片或多片硅片并将其从竖直面旋转至水平面；

将一片或多片硅片水平传输至一个或多个第二槽；

将一片或多片硅片从水平面旋转至竖直面并放入所述一个或多个第二槽内的清洗液中；

从一个或多个第二槽内的清洗液中取出一片或多片硅片并将其从竖直面旋转至水平面；然后将一片或多片硅片水平传输至一个或多个单片清洗模组。

9.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，进一步包括：

将一片或多片硅片传输至单片清洗模组；

在该一片或多片硅片在所述一个或多个单片清洗模组内旋转之前，向该一片或多片硅片喷射清洗液。

10.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，每次从所述一个或多个第二槽中取出硅片的数量等于或小于单片清洗模组的数量。