[发明专利]具有温度传感器的功率半导体器件

权利要求书

1.一种高压半导体器件，包括：

功率半导体器件部分；

温度感测器件部分；

其中，所述温度感测器件部分包括：

阳极区；

阴极区；

主体区，在所述主体区中形成所述阳极区和所述阴极区；以及

半导体隔离区，在所述半导体隔离区中形成所述主体区，所述半导体隔离区具有与所述主体区相反的导电类型，所述半导体隔离区形成在所述功率半导体器件部分和所述温度感测器件部分之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阳极区和所述半导体隔离区具有第一导电类型，并且所述阴极区和所述主体区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述半导体隔离区的掺杂浓度水平小于所述阳极区的掺杂浓度水平。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体隔离区相比于所述半导体器件的表面在垂直方向上提供隔离，所述隔离在所述功率半导体器件部分和所述温度感测器件部分之间。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，还包括在所述功率半导体器件部分和所述温度感测器件部分之间的一个或多个隔离沟槽，每个隔离沟槽从所述高压半导体器件的表面延伸到内部。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述一个或多个隔离沟槽在平行于所述半导体器件的所述表面的横向方向上提供隔离，所述隔离在所述功率半导体器件部分和所述温度感测器件部分之间。

7.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其中，所述半导体隔离区的深度大于所述一个或多个沟槽的深度。

8.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其中，所述半导体隔离区的深度小于所述隔离沟槽的深度。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体隔离区形成在所述隔离沟槽之间。

10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，还包括绝缘体区，所述绝缘体区设置在所述温度感测器件部分内的所述主体区和所述半导体隔离区之间。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述绝缘区被配置为在垂直方向上提供与所述半导体器件的表面的进一步隔离，所述进一步隔离在所述功率半导体器件部分和所述温度感测器件部分之间。

12.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体隔离区使用所述阴极区和阴极接触部电接地。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述阴极接触部被配置为连接到两个连续的隔离沟槽之间的所述半导体隔离区。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体隔离区使用所述功率半导体器件部分的发射极/源极区电接地，所述半导体隔离区在两个连续的隔离沟槽之间。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的半导体器件，其中，所述连续的隔离沟槽之间的所述半导体隔离区被配置为减小所述温度感测器件部分内部的双极结型晶体管(BJT)效应。

16.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体隔离区被配置为减小从所述功率半导体器件部分的有源区到所述温度感测器件部分的所述阳极区的电流。

17.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述温度感测器件部分包括以串联和/或并联连接进行连接的二极管阵列。