[发明专利]一种集成电路有效

专利信息
申请号: 201880094420.7 申请日: 2018-06-07
公开(公告)号: CN112292916B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 刘立筠;张珊;刘国文;吴韦 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 郭放;许伟群
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成电路
【说明书】:

一种集成电路,包括基板,承载在所述基板上的芯片,以及屏蔽壳体。屏蔽壳体覆盖芯片和基板,屏蔽壳体由导电材料制成。基板中设有第一接地层,第一接地层包括第一接地部和第二接地部,第一接地层在第一接地部和第二接地部之间断开。基板底部设有第一接地接口和第二接地接口。第一接地部与所述屏蔽壳体和第一接地接口电连接,第二接地部与芯片和第二接地接口电连接。本申请通过在芯片和基板上覆盖屏蔽壳体,以及将接地层分割为第一接地部和第二接部,达到降低芯片的电磁干扰的同时避免屏蔽壳体上的静电流至第一接地部时可能对芯片造成的损坏。

技术领域

本申请涉及电子产品制造技术领域,尤其涉及一种集成电路。

背景技术

随着半导体产品系统化、微小化的不断发展,电子元器件(芯片)非常容易受到不同电磁辐射的干扰。电磁辐射会严重影响信号传输的连续性和准确性。因此,产品的抗电磁干扰设计变得越来越重要。电磁干扰(Electro-Magnetic Interference,EMI)通常包括射频干扰(Radio Frequency Interference)和磁场干扰等。射频干扰是由于同一产品的不同RF模块(WCDMA,LTE,WiFi/BTGPS)相互之间的干扰。磁场干扰是电子产品硬件电路由于电流、电压的变化产生磁场的变化而产生。电子产品中电流电压频率越高,产品越小,受电磁干扰的危害越大。

常规的EMI解决方案是在产品外面加一层导电性良好的金属层/壳或导电介质(抗电磁干扰隔离层-EMI Shielding)。EMI Shielding是直接在封装体上面和侧面直接覆盖屏蔽导电介质(通过溅镀,电镀,喷涂等方式),从而达到电磁屏蔽的效果。

电子元器件焊接在基板上,电子元器件和基板侧面附着屏蔽层(EMI Shielding),基板含有单层或者多层铜层,每层铜层都由接线布线部和接地布线部组成。屏蔽层直接或通过其他方式与接地布线部相连接,使屏蔽层接地,以便达到更好的隔离效果。

现有的接地产品结构设计,当有发生ESD静电放电时,高压电流会通过屏蔽层流向接地布线部。而接地布线部与内部线路非常近,容易在线路中诱导出瞬间电流(强电场的快速变化),非常容易导致电子元器件电流过载,最后使元器件电性能失效或者降低。

发明内容

根据上述技术问题,本申请提供一种集成电路。能够同时提高电子产品防电磁干扰和抗静电释放的能力。

本申请是通过如下方法实现的:

一方面,本申请具体实施例提供一种集成电路,包括基板,承载在基板上的芯片,以及屏蔽壳体,屏蔽壳体覆盖芯片和基板,屏蔽壳体由导电材料制成;基板中设有第一接地层,第一接地层包括第一接地部和第二接地部,第一接地层在第一接地部和第二接地部之间断开;基板底部设有第一接地接口和第二接地接口;第一接地部与屏蔽壳体和第一接地接口电连接,第二接地部与芯片和第二接地接口电连接。

通过在芯片和基板上覆盖屏蔽壳体,以及将接地层分割为第一接地部和第二接部,达到降低芯片的电磁干扰的同时避免屏蔽壳体上的静电流至第一接地部时可能对芯片造成的损坏。

在一个可能的设计中,基板中还设有第二接地层,第二接地层包括第三接地部和第四接地部,第三接地部与第一接地接口电连接,第四接地部与第二接地接口电连接,第二接地层在第三接地部和第四接地部之间断开。第二接地层在第三接地部和第四接地部之间的断口,与第一接地层在第一接地部和第二接地部之间的断口错开。

通过将不同接地层中接地部之间的断口错开设置,减少通过断口进入芯片的电磁干扰信号,从而进一步降低芯片的电磁干扰。

在一个可能的设计中,基板中还设有第三接地层,第三接地层包括第五接地部,第五接地部与第二接地接口电连接且与屏蔽壳体分离。

在一个可能的设计中,芯片设置在基板上表面,屏蔽壳体包裹基板的侧部。

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