[发明专利]纳米制作中的占空比、深度和表面能控制

权利要求书

1.一种制作纳米压印光刻术NIL模具的方法，所述NIL模具具有目标表面浮雕结构，所述方法包括：

制造所述NIL模具的初步表面浮雕结构，所述初步表面浮雕结构包括多个脊部，其中所述初步表面浮雕结构的参数不同于所述目标表面浮雕结构的对应参数；以及

修改所述初步表面浮雕结构的所述参数，以制成所述目标表面浮雕结构，其中修改所述初步表面浮雕结构的所述参数包括：

在所述初步表面浮雕结构上沉积材料层；以及

对所述材料层进行蚀刻或表面处理；

其中：

所述多个脊部包括倾斜脊部；以及

所述初步表面浮雕结构的所述参数包括所述倾斜脊部的边缘的倾斜角；并且

其中修改所述初步表面浮雕结构的所述参数包括：

在所述初步表面浮雕结构上沉积间隔物层；以及

使用等离子体或离子束以倾斜角来蚀刻所述间隔物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述NIL模具包括用于纳米压印光刻术的主NIL模具或软印戳。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述初步表面浮雕结构的所述参数包括所述多个脊部中的每个脊部的宽度。

4. 根据权利要求3所述的方法，其中修改所述初步表面浮雕结构的所述参数包括：

在所述初步表面浮雕结构上沉积间隔物层；以及

各向异性地蚀刻所述间隔物层，以去除所述多个脊部的顶部上的所述间隔物层和所述多个脊部之间的所述间隔物层，并且保持所述多个脊部的侧壁上的所述间隔物层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述蚀刻包括等离子体蚀刻或离子束蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述初步表面浮雕结构的所述参数包括所述多个脊部中的每个脊部的高度。

7. 根据权利要求6所述的方法，其中修改所述初步表面浮雕结构的所述参数包括：

使用气相沉积工艺将所述材料层沉积在所述初步表面浮雕结构上；以及

使用湿法或干法各向同性蚀刻工艺来蚀刻所述材料层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述初步表面浮雕结构的所述参数包括所述初步表面浮雕结构的表面能。

9. 根据权利要求8所述的方法，其中修改所述初步表面浮雕结构的所述参数包括：

在所述初步表面浮雕结构上沉积间隔物层，其中所述间隔物层具有与所述初步表面浮雕结构的所述表面能不同的表面能；以及

对所述间隔物层进行表面处理。

10.根据权利要求9所述的方法，其中对所述间隔物层进行表面处理包括：

使用六甲基二硅氮烷（HMDS）或氟化自组装单层（FSAM），来处理所述间隔物层的表面。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述初步表面浮雕结构包括倾斜表面浮雕光栅结构。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述NIL模具是表面浮雕光栅。

13.根据权利要求12所述的方法，其中：

所述多个脊部中的每个脊部的边缘的倾斜角大于20°。

14.根据权利要求12所述的方法，其中：

所述多个脊部的深度大于20nm。

15.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其中所述NIL模具是目标纳米压印光刻术NIL模具，并且其中所述初步表面浮雕结构是初步NIL模具。

16.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述多个脊部形成倾斜表面浮雕光栅。