[发明专利]层状钙钛矿、光吸收层、附有光吸收层的基板、光电转换元件和太阳能电池在审
申请号: | 201880094723.9 | 申请日: | 2018-06-19 |
公开(公告)号: | CN112313813A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 泽田拓也;佐藤治之;中岛智彦;土屋哲男 | 申请(专利权)人: | 花王株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;吕秀平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层状 钙钛矿 光吸收 附有 光电 转换 元件 太阳能电池 | ||
1.一种层状钙钛矿,其特征在于:
根据利用面外法获得的X射线衍射峰算出的(002)面的面间距为2.6nm以上5.0nm以下,所述X射线衍射峰中的(111)面的X射线衍射峰强度相对于(002)面的X射线衍射峰强度的强度比以(111)面/(002)面计为0.03以上。
2.如权利要求1所述的层状钙钛矿,其特征在于:
包含下述通式(1)所示的化合物:
R2MX1nX24-n (1)
式中,R为1价的阳离子,2个R相同,M为2价的金属阳离子,X1和X2分别独立地为1价的阴离子,n为X1的平均摩尔数,n为0以上4以下的实数。
3.如权利要求2所述的层状钙钛矿,其特征在于:
所述R是碳原子数为14以上30以下的烷基铵离子。
4.如权利要求2或3所述的层状钙钛矿,其特征在于:
所述X1和X2分别独立地为氟化物阴离子、氯化物阴离子、溴化物阴离子或碘化物阴离子。
5.如权利要求2~4中任一项所述的层状钙钛矿,其特征在于:
所述M为选自Pb2+、Sn2+和Ge2+中的1种以上的金属阳离子。
6.如权利要求1~5中任一项所述的层状钙钛矿,其特征在于:
具有2.0eV以上3.5eV以下的带隙能。
7.一种光吸收层,其特征在于:
包含权利要求1~6中任一项所述的层状钙钛矿。
8.一种附有光吸收层的基板,其特征在于:
在使用Owens-Wendt式算出的表面自由能为40mJ/m2以上100mJ/m2的基板上形成有权利要求7所述的光吸收层。
9.一种光电转换元件,其特征在于:
具有权利要求7所述的光吸收层或权利要求8所述的附有光吸收层的基板。
10.一种太阳能电池,其特征在于:
具有权利要求9所述的光电转换元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择