[发明专利]X射线荧光分析仪和用于执行X射线荧光分析的方法

权利要求书

1.一种X射线荧光分析仪，包括：

-X射线管(402)，用于沿第一光轴(204)的方向发射入射X射线(206)，

-浆料处理单元(201)，被配置成维持浆料的样品(202)与所述X射线管之间的恒定距离，

-第一晶体衍射仪(601)，相对于所述浆料处理单元(201)沿第一方向定位，所述第一晶体衍射仪(601)被配置成从传播到所述第一方向上的荧光X射线(207)中分离预定第一波长范围，并且被配置成将处于所分离的预定第一波长范围内的荧光X射线导向至第一辐射检测器(602、1505)，

其特征在于：

-所述X射线管(402)的输入功率额定值为至少400瓦，

-所述第一晶体衍射仪(601)包括热解石墨晶体(603)，以及

-所述X射线管(402)与所述浆料处理单元(201)之间的光路是直接的，其间没有衍射仪。

2.根据权利要求1所述的X射线荧光分析仪，其中，所述浆料处理单元包括样品腔(208)，在所述样品腔(208)的壁中具有样品窗(301)，所述样品窗用于在所述样品腔(208)内保持浆料的所述样品(202)的同时允许X射线通过。

3.根据权利要求1或2中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中

-所述X射线管(402)包括用于产生所述入射X射线(206)的阳极(1801)，以及

-所述浆料处理单元(201)被配置成在浆料的所述样品(202)与所述阳极(1801)之间维持短于50mm、优选短于40mm、并且更优选短于30mm的最短线性距离。

4.根据权利要求3所述的X射线荧光分析仪，其中，所述X射线管(402)是端窗类型的X射线管。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中，所述X射线管(402)的输入功率额定值为至少1千瓦，优选为至少2千瓦，更优选为至少4千瓦。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中，所述热解石墨晶体(603)的衍射表面是以下之一：在一个方向上弯曲的单连通表面；在两个方向上弯曲的单连通表面；非单连通的旋转对称表面。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中，所述第一晶体衍射仪包括；

-位于所述浆料处理单元(201)与所述热解石墨晶体(603、802、804)之间的第一光路(605)上的第一狭缝(604)，以及

-位于所述热解石墨晶体(603、802、804)与所述第一辐射检测器(602、1505)之间的第二光路(607)。

8.根据权利要求7所述的X射线荧光分析仪，其中：

-所述热解石墨晶体(603)的衍射表面(801)仅在一个方向上弯曲，具有位于由所述第一光路(605)和所述第二光路(606)限定的平面中的曲率半径，以及

-所述第一狭缝(604)是垂直于所述平面定向的线性狭缝。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中：

-所述浆料处理单元(201)被配置成在面向所述X射线管(402)的一侧维持浆料的所述样品(202)的平直表面，以及

-所述第一光轴(204)垂直于所述平直表面。

10.根据权利要求1至8中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中：

-所述浆料处理单元(201)被配置成在面向所述X射线管(402)的一侧维持浆料的所述样品(202)的平直表面，以及

-所述第一光轴(204)与所述平直表面成一倾斜角度。

11.根据权利要求10所述的X射线荧光分析仪，其中，所述第一晶体衍射仪(601)围绕所述第一光轴(204)以旋转角度定位，在该位置处，所述样品(202)的所述平直表面覆盖所述第一晶体衍射仪(601)的视场的最大部分。