[发明专利]光发送设备有效
申请号: | 201880094936.1 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN112352177B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 大和屋武 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;G02B6/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;王培超 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发送 设备 | ||
1.一种光发送设备,具备:半导体激光器阵列,其具有形成于第一半导体基板的多个分布反馈式半导体激光器;和半导体调制器阵列,其形成于第二半导体基板并且具有与所述半导体激光器相同数量的半导体调制器,其特征在于,
具备:形成有所述半导体激光器阵列的半导体激光器芯片、和形成有所述半导体调制器阵列的半导体波导路芯片,
将激光器波导路与调制器波导路对接来连接,使得所述半导体激光器阵列的各个所述半导体激光器中的所述半导体调制器阵列侧的波导路亦即所述激光器波导路的端面、与所述半导体调制器阵列的各个所述半导体调制器中的所述半导体激光器阵列侧的波导路亦即所述调制器波导路的端面的距离为10μm以内,
所述半导体激光器芯片和所述半导体波导路芯片搭载于基座,
所述半导体激光器阵列配置为使包括所述半导体激光器的活性层的所述激光器波导路处于比所述第一半导体基板远离所述基座的位置,
所述半导体调制器阵列配置为使所述半导体调制器的所述调制器波导路处于比所述第二半导体基板靠所述基座侧的位置,
从所述半导体调制器阵列的所述基座侧的面到所述第二半导体基板的所述基座侧的面的厚度比所述第一半导体基板的厚度薄。
2.根据权利要求1所述的光发送设备,其特征在于,
在所述半导体波导路芯片与所述基座之间夹设有树脂。
3.根据权利要求1或2所述的光发送设备,其特征在于,
所述半导体波导路芯片搭载于辅助支承基板,
对于所述半导体调制器阵列而言,所述半导体调制器的阳极电极和阴极电极形成于比所述第二半导体基板靠所述基座侧亦即所述调制器波导路侧的位置,
所述阳极电极和所述阴极电极通过与金属丝不同的连接件而与形成于所述辅助支承基板的金属配线连接。
4.根据权利要求3所述的光发送设备,其特征在于,
所述连接件是焊料凸部。
5.根据权利要求3所述的光发送设备,其特征在于,
所述半导体波导路芯片配置为:使包括所述调制器波导路的端面在内的调制器端面比所述辅助支承基板的所述半导体激光器阵列侧的端面亦即基板端面靠近包括所述激光器波导路的端面在内的激光器端面。
6.根据权利要求3所述的光发送设备,其特征在于,
所述半导体波导路芯片配置为:使包括所述调制器波导路的端面在内的调制器端面与所述辅助支承基板的所述半导体激光器阵列侧的端面亦即基板端面相比,不远离包括所述激光器波导路的端面在内的激光器端面。
7.根据权利要求1或2所述的光发送设备,其特征在于,
所述半导体激光器芯片搭载于激光器用辅助支承基板,
并且所述半导体激光器芯片配置为:使包括所述激光器波导路的端面在内的激光器端面,比所述激光器用辅助支承基板的所述半导体调制器阵列侧的端面亦即基板端面靠近包括所述调制器波导路的端面在内的调制器端面。
8.根据权利要求1或2所述的光发送设备,其特征在于,
所述半导体激光器芯片搭载于激光器用辅助支承基板,
并且所述半导体激光器芯片配置为:包括所述激光器波导路的端面在内的激光器端面与所述激光器用辅助支承基板的所述半导体调制器阵列侧的端面亦即基板端面相比,不远离包括所述调制器波导路的端面在内的调制器端面。
9.根据权利要求1或2所述的光发送设备,其特征在于,
相互对置的所述半导体激光器阵列以及所述半导体调制器阵列的任意一方或者双方,在相互对置的所述波导路的端面侧具有变更所述半导体激光器阵列生成的激光束的光点尺寸的光点尺寸变换部。
10.根据权利要求1或2所述的光发送设备,其特征在于,
所述半导体波导路芯片具有光合波器,该光合波器将从所述半导体调制器阵列的各个所述半导体调制器射出的多个射出光合波为一个射出光。
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