[发明专利]芯片封装结构及芯片封装方法有效
申请号: | 201880095121.5 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN112352305B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 申中国 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H01L21/56;H01L23/495 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强;李稷芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 方法 | ||
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:芯片和全包裹所述芯片的塑封材料,所述芯片上设有导体柱,所述导体柱穿过所述塑封材料,所述导体柱的第一端被耦合至所述芯片的内部电路,所述导体柱的第二端用于所述芯片耦合外电路;
所述芯片包括:
裸芯片;
第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述裸芯片;
重布线层,所述重布线层设于所述第一绝缘层背对所述裸芯片的表面,且填充贯穿所述第一绝缘层的第一过孔,耦合至所述裸芯片的内部电路;
第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层以及部分覆盖所述重布线层,且开设用于显露部分所述重布线层的第二过孔;
所述导体柱填充所述第二过孔,所述导体柱的第一端耦合至所述裸芯片的内部电路,且所述导体柱的第二端的端面高于所述第二绝缘层背对所述裸芯片的表面。
2.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封材料形成一体成型结构。
3.如权利要求1或2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封材料的外表面与所述导体柱的第二端的端面齐平。
4.如权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构还包括:设置于所述导体柱的第二端上的焊球。
5.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述裸芯片的表面包括一个或多个无源器件。
6.如权利要求5所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一绝缘层的厚度为20um-120um。
7.一种集成电路设备,包括基板和芯片,所述芯片被塑封材料全包裹,所述芯片上设有导体柱,所述导体柱穿过所述塑封材料,所述芯片支撑于所述基板上,所述导体柱的第一端被耦合至所述芯片的内部电路,所述导体柱的第二端被耦合至所述基板上的电路;
其中,所述芯片包括:
裸芯片;
第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述裸芯片;
重布线层,所述重布线层设于所述第一绝缘层背对所述裸芯片的表面,且填充贯穿所述第一绝缘层的第一过孔,耦合至接所述裸芯片的内部电路;
第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层以及部分覆盖所述重布线层,且开设用于显露部分所述重布线层的第二过孔;
所述导体柱填充所述第二过孔,所述导体柱的第一端耦合至裸芯片的内部电路,所述导体柱的第二端的端面高于所述第二绝缘层背对所述裸芯片的表面。
8.如权利要求7所述的集成电路设备,其特征在于,所述塑封材料形成一体成型结构。
9.如权利要求7或8所述的集成电路设备,其特征在于,所述塑封材料的外表面与所述导体柱的第二端的端面齐平。
10.如权利要求7或8所述的集成电路设备,其特征在于,所述导体柱的第二端上设有焊球,所述焊球用于与所述基板上的电路直接焊接或通过引线焊接。
11.如权利要求7所述的集成电路设备,其特征在于,所述裸芯片的表面包括一个或多个无源器件。
12.如权利要求11所述的集成电路设备,其特征在于,所述第一绝缘层的厚度为20um-120um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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