[发明专利]发光器件和具有该发光器件的显示装置在审
申请号: | 201880095203.X | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN112335051A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 林载翊;梁银娥;崔海润 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/40;H01L33/62;H01L33/38 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 程月;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 具有 显示装置 | ||
一种发光器件包括:基底,包括多个单元发光区域;至少一个第一发光器件,设置在基底上并且在第一方向上具有第一端部和第二端部;至少一个第二发光器件,在与第一方向相交的第二方向上具有第一端部和第二端部;第一电极和第二电极,第一电极连接到第一发光器件和第二发光器件中的每个的第一端部和第二端部中的任一个,第二电极连接到第一端部和第二端部中的另一个;第一对准线,在基底上沿第二方向延伸并且连接到第一电极,以及第二对准线,与第一对准线间隔开一定距离并且连接到第二电极。
技术领域
本发明涉及一种发光器件和一种具有该发光器件的显示装置。
背景技术
发光二极管(在下文中,称为LED)即使在恶劣的环境条件下也表现出相对令人满意的耐久性,并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。近来,已经积极地进行了将这样的LED应用于各种显示装置的研究。
作为这样的研究的一部分,已经开发了使用无机晶体结构(例如,其中生长有氮化物基半导体的结构)来制造小到微米级或纳米级的程度的微棒型LED的技术。例如,棒型LED可以以足够小以构成自发光显示装置等的像素的尺寸来制造。
发明内容
技术问题
本发明的目的在于提供一种具有棒型LED的发光器件和一种具有该发光器件的显示装置。
技术方案
根据本发明的一方面,提供了一种发光器件,所述发光器件包括:基底,包括多个单元发光区域;至少一个第一发光元件,设置在基底上,所述至少一个第一发光元件在第一方向上具有第一端部和第二端部;至少一个第二发光元件,在与第一方向相交的第二方向上具有第一端部和第二端部;第一电极和第二电极,第一电极连接到第一发光元件和第二发光元件中的每个的第一端部和第二端部中的任一个,第二电极连接到第一发光元件和第二发光元件中的每个的第一端部和第二端部中的另一个;第一对准线,在基底上沿第二方向延伸,第一对准线连接到第一电极;以及第二对准线,与第一对准线间隔开一定距离,第二对准线连接到第二电极。
根据本发明的实施例,每个单元发光区域可以包括其中设置有第一发光元件的第一子发光区域和其中设置有第二发光元件的第二子发光区域。
根据本发明的实施例,第一电极可以包括设置在第一子发光区域中的第1-1电极和设置在第二子发光区域中的第1-2电极。第二电极可以包括设置在第一子发光区域中的第2-1电极和设置在第二子发光区域中的第2-2电极。
根据本发明的实施例,当在平面上观看时,第1-1电极和第2-1电极可以沿第二方向延伸。当在平面上观看时,第1-2电极和第2-2电极可以沿第一方向延伸。
根据本发明的实施例,第1-1电极与第2-1电极之间的距离可以等于第1-2电极与第2-2电极之间的距离。
根据本发明的实施例,发光器件还可以包括:第一连接线,在基底上沿第一方向延伸,第一连接线将第一对准线和第一电极电连接;以及第二连接线,在基底上平行于第一连接线延伸,第二连接线将第二对准线和第二电极电连接。
根据本发明的实施例,第1-1电极可以从第一连接线沿第二方向向第一子发光区域分支,第2-1电极可以从第二连接线沿第二方向向第一子发光区域分支,并且第1-1电极和第2-1电极可以在第一子发光区域中沿第一方向交替地设置。
根据本发明的实施例,第1-2电极可以从第一对准线沿第一方向向第二子发光区域分支,第2-2电极可以从第二对准线沿第一方向向第二子发光区域分支,并且第1-2电极和第2-2电极可以在第二子发光区域中沿第二方向交替地设置。
根据本发明的实施例,第一连接线可以包括连接到第一对准线的一个端部和与所述一个端部相对的另一端部。所述另一端部可以具有圆形形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的