[发明专利]球囊型电极导管在审
申请号: | 201880095989.5 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN112512451A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 森谦二 | 申请(专利权)人: | 日本来富恩株式会社 |
主分类号: | A61B18/14 | 分类号: | A61B18/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王培超;张青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 球囊型 电极 导管 | ||
1.一种球囊型电极导管,用于进行高频消融治疗,其特征在于,具备:
外管,其具有中央管腔、和在该中央管腔周围配置有多个的副管腔;
通电用连接器,其配置在所述外管的基端侧;
球囊,其具有进行扩张收缩的扩张部、和与该扩张部的两端连续的颈部,通过将基端侧颈部固定于所述外管的前端部,所述扩张部内包所述外管的所述前端部,由此所述球囊与所述外管的前端侧连接;
内轴,其插通于所述外管的所述中央管腔并从该中央管腔的开口向所述球囊的内部延伸,并固定于所述球囊的前端侧颈部而向所述球囊的外部延伸;
表面电极,其至少由在所述球囊的所述扩张部处形成于该球囊的外表面的金属薄膜构成;以及
导线,其将所述表面电极与所述通电用连接器电连接,
所述外管所具有的所述副管腔中的至少一条是为了向所述球囊的内部供给流体而使该流体流通的流体供给用副管腔,
所述外管所具有的所述副管腔中的至少一条是为了将供给至所述球囊的内部的流体从该球囊的内部排出而使该流体流通的流体排出用副管腔,
所述流体供给用副管腔及所述流体排出用副管腔中的任一方的开口位于比所述扩张部的轴向的中间位置靠前端侧,
所述流体供给用副管腔及所述流体排出用副管腔中的另一方的开口位于所述扩张部的基端或其附近。
2.根据权利要求1所述的球囊型电极导管,其特征在于,
所述流体供给用副管腔的所述开口位于比所述扩张部的轴向的中间位置靠前端侧,
所述流体排出用副管腔的所述开口位于所述扩张部的所述基端或其附近。
3.根据权利要求2所述的球囊型电极导管,其特征在于,
所述外管构成为包括:
圆管状部分,其从所述扩张部的所述基端或其附近的位置向基端方向延伸;
半圆管状部分,其从所述扩张部的所述基端或其附近的位置在所述扩张部的内部越过该扩张部的轴向的中间位置而向前端方向延伸,
所述流体供给用副管腔配置于所述圆管状部分及所述半圆管状部分的内部,并在该半圆管状部分的前端面处开口,
所述流体排出用副管腔配置于所述圆管状部分的内部,并在该圆管状部分的前端面处开口。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的球囊型电极导管,其特征在于,
所述流体供给用副管腔的开口面积大于所述流体排出用副管腔的开口面积。
5.根据权利要求1~3中的任一项所述的球囊型电极导管,其特征在于,
所述流体供给用副管腔的数量比所述流体排出用副管腔的数量多。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的球囊型电极导管,其特征在于,
所述内轴构成为包括:
内管,其具有能够插通导丝的管腔,所述内管插通于所述外管的所述中央管腔,并从该中央管腔的所述开口向所述球囊的内部延伸,
前端管,其具有与所述内管的所述管腔连通的管腔,所述前端管在所述球囊的内部连接于所述内管的前端,并且固定于所述前端侧颈部而向所述球囊的外部延伸。
7.根据权利要求6所述的球囊型电极导管,其特征在于,
所述表面电极的前端部沿所述前端侧颈部的外表面延伸,
所述球囊型电极导管设置有金属环,所述金属环以其内周面与所述表面电极的所述前端部接触的方式安装于所述球囊的所述前端侧颈部,由此与所述表面电极电连接,
所述导线的前端与所述金属环的内周面连接,并在所述球囊的内部、以及与所述流体供给用副管腔及所述流体排出用副管腔均不同的所述外管的所述副管腔延伸,所述导线的基端与所述通电用连接器连接。
8.根据权利要求7所述的球囊型电极导管,其特征在于,
所述表面电极以沿着所述球囊的轴向延伸的方式形成,并且是沿着该球囊的圆周方向等角度间隔地配置的多个带状电极,所述金属环的内周面与所述带状电极各自的前端部接触。
9.根据权利要求7或8所述的球囊型电极导管,其特征在于,
所述金属环被绝缘覆盖。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本来富恩株式会社,未经日本来富恩株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880095989.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有连续离聚物相的整体复合膜
- 下一篇:辐射装置和发射冷却装置