[发明专利]辐射装置和发射冷却装置

权利要求书

1.一种辐射装置，包括：

导体层，所述导体层具有沿着第一方向被布置成彼此相反的第一下表面和第一上表面；

半导体层，所述半导体层被设置在所述导体层的所述第一上表面上，所述半导体层具有面对所述第一上表面的第二下表面和与所述第二下表面相反的第二上表面；以及

多个导体盘，在所述多个导体盘彼此分离的状态下，所述多个导体盘被设置在所述半导体层的所述第二上表面上，

其中，所述多个导体盘被布置成使得在被放置在所述第二上表面上的具有相同面积和相同形状的多个单元构成区域中的每一个中构成相同的布置图案，

所述多个单元构成区域中的每一个具有矩形形状，所述矩形形状具有长度为4.5μm或更大且5.5μm或更小的边，并且所述多个单元构成区域被布置成使得沿着第二方向和第三方向中的每一个彼此相邻的单元构成区域具有共同边，结果，构成了沿着所述第二方向和所述第三方向中的每一个具有周期性的所述布置图案的二维周期性结构，其中所述第二方向和所述第三方向限定在所述第二上表面上并且彼此正交；

所述布置图案包括被布置成对应于3×3矩阵的九个导体盘，在所述3×3矩阵中，沿着所述矩形形状的第一边布置三个元件，并且沿着正交于所述第一边的第二边布置三个元件；并且

所述九个导体盘包括四种或更多种的导体盘，所述四种或更多种的导体盘具有在所述第二上表面上限定的并且彼此不同的直径。

2.根据权利要求1所述的辐射装置，其中，沿着所述第一方向限定的所述多个导体盘中的每一个的厚度比所述导体层的厚度薄。

3.根据权利要求1所述的辐射装置，其中，所述多个导体盘的每一个由Al组成。

4.根据权利要求1所述的辐射装置，其中，沿着所述第一方向限定的所述多个导体盘中的每一个的厚度为100nm或更小。

5.根据权利要求1所述的辐射装置，其中，所述导体层由Al组成。

6.根据权利要求1所述的辐射装置，其中，沿着所述第一方向限定的所述导体层的厚度为100nm或更大。

7.根据权利要求1所述的辐射装置，其中，所述九个导体盘包括具有彼此不同的直径的七种或更少种的导体盘，而所述九个导体盘包括具有最小直径的三个导体盘。

8.根据权利要求1所述的辐射装置，其中，所述矩形形状是正方形形状。

9.一种发射冷却装置，所述发射冷却装置包括根据权利要求1至8中的任一项所述的辐射装置。